Nganong kontrolado ang boltahe sa MOSFET?

Ang mga MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) gitawag nga mga boltahe nga kontrolado nga mga aparato tungod kay ang ilang prinsipyo sa operasyon nagsalig sa kontrol sa boltahe sa ganghaan (Vgs) sa agianan sa tubig (Id), imbes nga magsalig sa karon aron makontrol kini, ingon mao ang kaso sa bipolar transistors (sama sa BJTs). Ang mosunud usa ka detalyado nga pagpatin-aw sa MOSFET ingon usa ka aparato nga kontrolado sa boltahe:

Prinsipyo sa Pagtrabaho

Pagkontrol sa Gate Voltage:Ang kasingkasing sa usa ka MOSFET anaa sa istruktura tali sa ganghaan, tinubdan ug drain, ug usa ka insulating layer (kasagaran silicon dioxide) sa ilawom sa ganghaan. Kung ang usa ka boltahe gipadapat sa ganghaan, usa ka electric field ang gihimo sa ilawom sa insulating layer, ug kini nga field nagbag-o sa conductivity sa lugar tali sa gigikanan ug drain.

Pagporma sa Conductive Channel:Para sa N-channel MOSFETs, sa diha nga ang ganghaan boltahe Vgs mao ang taas nga igo (sa ibabaw sa usa ka piho nga bili nga gitawag sa threshold boltahe Vt), electron sa P-type substrate ubos sa ganghaan madani sa underside sa insulating layer, nga nagporma sa usa ka N- type nga conductive channel nga nagtugot sa conductivity tali sa tinubdan ug habwa. Sa laing bahin, kung ang Vgs mas ubos kaysa Vt, ang conducting channel wala maporma ug ang MOSFET naa sa cutoff.

Pag-ubos sa kasamtangan nga kontrol:ang gidak-on sa habwa, kasamtangan nga Id mao ang nag-una nga kontrolado sa ganghaan boltahe Vgs. Kon mas taas ang Vgs, mas lapad ang conducting channel nga maporma, ug mas dako ang drain current Id. Kini nga relasyon nagtugot sa MOSFET nga molihok isip usa ka boltahe nga kontrolado nga kasamtangan nga device.

Mga Kaayohan sa Piezo Characterization

Taas nga Input Impedance:Ang input impedance sa MOSFET taas kaayo tungod sa pagkahimulag sa ganghaan ug sa source-drain region pinaagi sa insulating layer, ug ang gate current halos zero, nga naghimo niini nga mapuslanon sa mga sirkito diin gikinahanglan ang taas nga input impedance.

Ubos nga Kasaba:Ang mga MOSFET makamugna og medyo ubos nga kasaba sa panahon sa operasyon, kadaghanan tungod sa ilang taas nga input impedance ug unipolar carrier conduction mechanism.

Kusog nga switch speed:Tungod kay ang mga MOSFET mga boltahe nga kontrolado nga mga aparato, ang ilang katulin sa pagbalhin kasagaran mas paspas kaysa sa mga bipolar transistor, nga kinahanglan nga moagi sa proseso sa pagtipig sa bayad ug pagpagawas sa panahon sa pagbalhin.

Ubos nga Konsumo sa Gahum:Sa on state, ang drain-source resistance (RDS(on)) sa MOSFET medyo ubos, nga makatabang sa pagpakunhod sa konsumo sa kuryente. Usab, sa cutoff nga estado, ang static nga konsumo sa kuryente gamay kaayo tungod kay ang agianan sa ganghaan hapit zero.

Sa katingbanan, ang mga MOSFET gitawag nga mga aparato nga kontrolado sa boltahe tungod kay ang ilang prinsipyo sa pag-opera nagsalig pag-ayo sa pagkontrol sa agianan sa tubig pinaagi sa boltahe sa ganghaan. Kini nga kinaiya nga kontrolado sa boltahe naghimo sa mga MOSFET nga nagsaad alang sa usa ka halapad nga aplikasyon sa mga elektronik nga sirkito, labi na kung diin kinahanglan ang taas nga impedance sa input, ubos nga kasaba, paspas nga tulin sa pagbalhin ug ubos nga konsumo sa kuryente.