Pamaagi sa produksiyon sa high power MOSFET driving circuit

Adunay duha ka nag-unang solusyon:

Ang usa mao ang paggamit sa usa ka dedikado nga driver chip sa pagmaneho sa MOSFET, o ang paggamit sa paspas nga photocoupler, transistors naglangkob sa usa ka sirkito sa pagmaneho sa MOSFET, apan ang unang matang sa pamaagi nagkinahanglan sa probisyon sa usa ka independente nga suplay sa kuryente; ang uban nga matang sa pulse transformer sa pagmaneho sa MOSFET, ug sa pulso drive circuit, sa unsa nga paagi sa pagpalambo sa switching frequency sa drive circuit aron sa pagdugang sa kapasidad sa pagdrayb, kutob sa mahimo, sa pagpakunhod sa gidaghanon sa mga sangkap, mao ang dinalian nga panginahanglan. aron masulbad angkasamtangan nga mga Problema.

Ang unang matang sa drive scheme, half-bridge nagkinahanglan og duha ka independente nga suplay sa kuryente; Ang bug-os nga tulay nanginahanglan ug tulo nga independente nga suplay sa kuryente, pareho nga tunga nga tulay ug puno nga tulay, daghang mga sangkap, dili maayo sa pagkunhod sa gasto.

Ang ikaduha nga matang sa programa sa pagmaneho, ug ang patente mao ang labing duol nga una nga arte alang sa ngalan sa pag-imbento nga "usa ka taas nga gahumMOSFET drive circuit" patente (application number 200720309534. 8), ang patente makadugang lamang sa usa ka discharge resistance aron buhian ang ganghaan nga tinubdan sa high-power MOSFET charge, aron makab-ot ang katuyoan sa pagsira, ang nahulog nga ngilit sa PWM signal dako. Ang pagkahulog sa ngilit sa PWM signal dako, nga mosangpot sa hinay nga pagsira sa MOSFET, ang pagkawala sa kuryente dako kaayo;

Dugang pa, ang patent nga programa sa MOSFET nga trabaho dali nga makabalda, ug ang PWM control chip kinahanglan nga adunay usa ka dako nga gahum sa output, nga naghimo sa temperatura sa chip nga taas, nga nakaapekto sa kinabuhi sa serbisyo sa chip. Mga sulud sa imbensyon Ang katuyoan niini nga modelo sa utility mao ang paghatag usa ka high-power MOSFET drive circuit, pagtrabaho nga mas lig-on ug zero aron makab-ot ang katuyoan sa kini nga modelo sa utility nga pag-imbento sa teknikal nga solusyon - usa ka high-power MOSFET drive circuit, ang output sa signal sa ang PWM control chip konektado sa nag-unang pulse transformer, ang unang output of ang ikaduha nga pulso transformer konektado sa unang MOSFET ganghaan, ang ikaduha nga output sa ikaduhang pulso transformer konektado sa unang MOSFET ganghaan, ang ikaduha nga output sa ikaduhang pulso transformer konektado sa unang MOSFET ganghaan. Ang unang output sa pulso transformer secondary konektado sa ganghaan sa unang MOSFET, ang ikaduha nga output sa pulso transformer secondary konektado sa ganghaan sa ikaduhang MOSFET, gihulagway sa nga ang unang output sa pulso transformer secondary konektado usab ngadto sa unang discharge transistor, ug ang ikaduha nga output sa pulso transformer secondary konektado usab sa ikaduha nga discharge transistor. Ang nag-unang bahin sa pulso transformer konektado usab sa usa ka pagtipig sa enerhiya ug pagpagawas sa sirkito.

Ang energy storage release circuit naglakip sa usa ka resistor, usa ka kapasitor ug usa ka diode, ang resistor ug ang kapasitor konektado sa parallel, ug ang nahisgutan nga parallel circuit konektado sa serye sa diode. Ang modelo sa utility adunay usa ka mapuslanon nga epekto Ang modelo sa utility adunay usab usa ka una nga discharge transistor nga konektado sa una nga output sa sekundaryong transformer, ug usa ka ikaduha nga transistor sa pagdiskarga nga konektado sa ikaduha nga output sa transformer sa pulso, aron nga kung ang transformer sa pulso magpagawas usa ka gamay nga lebel, ang unang MOSFET ug ang ikaduha nga MOSFET mahimong dali nga ma-discharge aron mapalambo ang shutdown speed sa MOSFET, ug aron makunhuran ang pagkawala sa MOSFET. Ang signal sa PWM control chip konektado sa ang signal amplification MOSFET tali sa nag-unang output ug sa pulso transformer panguna, nga mahimong gamiton alang sa signal amplification. Ang signal output sa PWM control chip ug ang nag-una nga pulse transformer konektado sa usa ka MOSFET alang sa signal amplification, nga makapauswag pa sa abilidad sa pagmaneho sa PWM signal.

Ang nag-unang pulse transformer konektado usab sa usa ka energy storage release circuit, kung ang PWM signal anaa sa ubos nga lebel, ang energy storage release circuit nagpagawas sa gitipigan nga enerhiya sa pulse transformer kung ang PWM anaa sa taas nga lebel, pagsiguro nga ang ganghaan ang tinubdan sa unang MOSFET ug ang ikaduhang MOSFET hilabihan ka ubos, nga adunay papel sa pagpugong sa pagpanghilabot.

Sa usa ka piho nga pagpatuman, ang usa ka ubos nga gahum nga MOSFET Q1 alang sa pagpadako sa signal konektado tali sa signal output terminal A sa PWM control chip ug ang panguna sa pulse transformer Tl, ang una nga output terminal sa sekondarya sa pulse transformer konektado sa ang ganghaan sa unang MOSFET Q4 pinaagi sa diode D1 ug ang nagmaneho nga resistor Rl, ang ikaduha nga output terminal sa sekondarya sa pulse transformer konektado sa ganghaan sa ikaduhang MOSFET Q5 pinaagi sa diode D2 ug ang driving resistor R2, ug ang unang output terminal sa secondary sa pulse transformer konektado usab sa unang drain triode Q2, ug ang ikaduha nga drain triode Q3 konektado usab sa ikaduhang drain triode Q3. MOSFET Q5, ang unang output terminal sa pulso transformer secondary konektado usab sa usa ka una nga drain transistor Q2, ug ang ikaduha nga output terminal sa pulso transformer secondary konektado usab sa usa ka ikaduha nga drain transistor Q3.

Ang ganghaan sa unang MOSFET Q4 konektado sa drain resistor R3, ug ang ganghaan sa ikaduhang MOSFET Q5 konektado sa drain resistor R4. ang nag-una sa pulso transformer Tl konektado usab sa usa ka energy storage ug release circuit, ug ang energy storage ug release circuit naglakip sa usa ka resistor R5, usa ka capacitor Cl, ug usa ka diode D3, ug ang resistor R5 ug ang capacitor Cl konektado sa parallel, ug ang nahisgutan nga parallel circuit konektado sa serye sa diode D3. ang PWM signal output gikan sa PWM control chip konektado sa low-power MOSFET Q2, ug ang low-power MOSFET Q2 konektado sa secondary sa pulse transformer. gipadako sa ubos nga gahum MOSFET Ql ug output sa panguna sa pulse transformer Tl. Kung ang PWM signal taas, ang una nga output terminal ug ang ikaduha nga output terminal sa sekondarya sa pulso transformer Tl output taas nga lebel signal sa pagmaneho sa unang MOSFET Q4 ug ang ikaduha nga MOSFET Q5 sa pagpahigayon.

Sa diha nga ang PWM signal mao ang ubos, ang unang output ug ang ikaduha nga output sa pulso transformer Tl secondary output ubos nga lebel signal, ang unang habwa, habwa, ug ang ikaduha nga habwa, habwa, transistor Q3 conduction, ang unang MOSFETQ4 ganghaan tinubdan capacitance pinaagi sa drain resistor R3, ang unang drain transistor Q2 alang sa discharge, ang ikaduha nga MOSFETQ5 gate source capacitance pinaagi sa drain resistor R4, ang ikaduha nga drain transistor Q3 alang sa discharge, ang ikaduha MOSFETQ5 gate source capacitance pinaagi sa drain resistor R4, ang ikaduha nga drain transistor Q3 alang sa discharge, ang ikaduha nga MOSFETQ5 gate source capacitance pinaagi sa drain resistor R4, ang ikaduha nga drain transistor Q3 alang sa discharge. Ang ikaduha nga MOSFETQ5 gate source capacitance gipagawas pinaagi sa drain resistor R4 ug ang ikaduha nga drain transistor Q3, aron ang unang MOSFET Q4 ug ang ikaduha nga MOSFET Q5 mahimong mapalong nga mas paspas ug ang pagkawala sa kuryente mahimong makunhuran.

Sa diha nga ang PWM signal mao ang ubos, ang gitipigan enerhiya release sirkito nga gilangkuban sa resistor R5, capacitor Cl ug diode D3 nagpagawas sa gitipigan enerhiya sa pulso transformer sa diha nga ang PWM mao ang hatag-as nga, sa pagsiguro nga ang ganghaan tinubdan sa unang MOSFET Q4 ug ang ikaduha nga MOSFET. Ang Q5 hilabihan ka ubos, nga nagsilbi sa katuyoan sa anti-interference. Ang Diode Dl ug diode D2 nagpahigayon sa output nga kasamtangan nga unidirectionally, sa ingon nagsiguro sa kalidad sa PWM waveform, ug sa samang higayon, kini usab nagdula sa papel sa anti-interference sa usa ka sukod.