Parameter analysis ug pagsukod sa MOSFETs

Adunay daghang mga matang sa nag-unang mga parameter saMOSFET, nga naglangkob sa DC kasamtangan, AC kasamtangan nga mga parameter ug limitasyon sa mga parameter, apan ang kinatibuk-ang aplikasyon kinahanglan lamang sa pag-atiman mahitungod sa mosunod nga mga sukaranan nga mga parameter: saturation nga kahimtang sa leakage tinubdan kasamtangan IDSS pinch-off boltahe Up, transconductance gm, leakage tinubdan breakdown boltahe BUDS, ang mas dako nga pagkawala output gahum PDSM ug mas dako nga leakage tinubdan kasamtangan nga IDSM.

1.Saturated leakage tinubdan kasamtangan

Ang saturated drain-source nga kasamtangan nga IDSS nagpasabot sa drain-source nga kasamtangan sa gate voltage UGS = 0 sa junction o depletion type insulated-layer gate MOSFETs.

2. Clip-off nga boltahe

Ang pinch-off nga boltahe UP nagpasabut nga ang boltahe sa gate nga naglihok nga boltahe sa usa ka junction o tipo sa pagkaubos nga insulated layer gateMOSFETnga naghimo sa drain-source lang cut-off. Hunahunaa kung unsa gyud ang gipasabut sa IDSS ug UP.

3, I-on ang boltahe

Ang turn-on nga boltahe nga UT nagpasabot sa boltahe sa ganghaan nga naglihok nga boltahe sa usa ka gipalig-on nga insulated-gate MOSFET aron ang drain-source interconnect ma-on lang. Hunahunaa kung unsa ang gipasabut sa UT.

4.Kros-giya

Ang transguide gm gigamit sa pagpaila sa abilidad sa boltahe sa tinubdan sa ganghaan aron makontrol ang alisngaw nga kasamtangan, nga mao, ang ratio tali sa pagbag-o sa agianan sa tubig ug sa pagbag-o sa boltahe sa tinubdan sa ganghaan.

5, Maximum nga pagkawala sa output gahumr

Ang labing taas nga pagkawala sa gahum sa output nahisakop usab sa limitasyon nga parameter, nga nagpasabut nga ang labing kadaghan nga gahum sa pagkawala sa gigikanan sa tubig nga mahimong tugutan kung ang paghimo saMOSFETnormal ug dili maapektuhan. Kung atong gamiton ang MOSFET, ang pagkawala sa gamit niini kinahanglan nga mas ubos kaysa sa PDSM ug usa ka piho nga kantidad.

6, Maximum nga leakage tinubdan kasamtangan

Ang pinakataas nga drain-source nga kasamtangan, IDSM, usa usab ka limiting parameter, nga nagpasabot nga ang pinakataas nga kasamtangan nga gitugotan nga moagi tali sa drain ug tinubdan sa usa ka MOSFET sa panahon sa normal nga operasyon, ug kinahanglan nga dili molapas sa diha nga ang MOSFET anaa sa operasyon.

Ang olukey nahimong usa sa labing maayo ug labing paspas nga nagtubo nga mga ahente sa Asya pinaagi sa aktibo nga pag-uswag sa merkado ug epektibo nga panagsama sa kapanguhaan, ug ang pagkahimong labing bililhon nga ahente sa kalibutan mao ang sagad nga katuyoan sa olukey.