Prinsipyo sa pagtrabaho sa N-channel enhancement mode MOSFET

(1) Ang kontrol nga epekto sa vGS sa ID ug channel

① Kaso sa vGS=0

Makita nga adunay duha ka back-to-back PN junctions tali sa drain d ug source s sa enhancement-modeMOSFET.

Sa diha nga ang ganghaan-tinubdan nga boltahe vGS = 0, bisan kung ang drain-source nga boltahe nga vDS idugang, ug bisan unsa pa ang polarity sa vDS, adunay kanunay nga PN junction sa reverse biased state.Walay conductive channel tali sa drain ug sa tinubdan, mao nga ang drain nga kasamtangan nga ID≈0 niining panahona.

② Ang kaso sa vGS>0

Kung vGS> 0, usa ka electric field ang namugna sa SiO2 insulating layer tali sa ganghaan ug sa substrate.Ang direksyon sa electric field kay tul-id sa electric field nga gitumong gikan sa ganghaan ngadto sa substrate sa semiconductor surface.Kini nga natad sa kuryente nagsalikway sa mga lungag ug nagdani sa mga electron.Pagsalikway sa mga buho: Ang mga lungag sa P-type nga substrate duol sa ganghaan gisalikway, nagbilin sa dili matarug nga acceptor ions (negative ions) aron mahimong usa ka depletion layer.Pagdani sa mga electron: Ang mga electron (minority carriers) sa P-type nga substrate madani sa substrate surface.

(2) Pagporma sa conductive channel:

Kung gamay ra ang kantidad sa vGS ug dili lig-on ang abilidad sa pagdani sa mga electron, wala pa’y conductive channel tali sa alisngaw ug sa gigikanan.Samtang nagkadaghan ang vGS, daghang mga electron ang nadani sa ibabaw nga layer sa P substrate.Sa diha nga ang vGS makaabot sa usa ka piho nga bili, kini nga mga electron maporma nga usa ka N-type nga nipis nga layer sa ibabaw sa P substrate duol sa ganghaan ug konektado sa duha ka N + nga mga rehiyon, nga nahimong usa ka N-type nga conductive channel tali sa drain ug tinubdan.Ang matang sa conductivity niini sukwahi sa P substrate, mao nga gitawag usab kini nga inversion layer.Ang mas dako nga vGS mao, mas lig-on ang electric field nga naglihok sa semiconductor surface, mas daghang mga electron ang madani sa nawong sa P substrate, mas baga ang conductive channel, ug mas gamay ang channel resistance.Ang boltahe nga gigikanan sa ganghaan kung ang channel nagsugod sa pagporma gitawag nga turn-on nga boltahe, nga girepresentahan sa VT.