Ingon nga mga elemento sa pagbalhin, ang MOSFET ug IGBT kanunay nga makita sa mga electronic circuit. Parehas usab sila sa hitsura ug mga parameter sa kinaiya. Nagtuo ko nga daghang mga tawo ang maghunahuna kung ngano nga ang ubang mga sirkito kinahanglan nga mogamit sa MOSFET, samtang ang uban. IGBT?
Unsa may kalainan nila? Sunod,Olukeymakatubag sa imong mga pangutana!
Unsa ang aMOSFET?
MOSFET, ang bug-os nga Intsik nga ngalan mao ang metal-oxide semiconductor field effect transistor. Tungod kay ang ganghaan niini nga field effect transistor nahimulag sa usa ka insulating layer, kini gitawag usab nga insulated gate field effect transistor. Ang MOSFET mahimong bahinon sa duha ka matang: "N-type" ug "P-type" sumala sa polarity sa "channel" niini (working carrier), kasagaran gitawag usab nga N MOSFET ug P MOSFET.
Ang MOSFET mismo adunay kaugalingon nga parasitic diode, nga gigamit aron mapugngan ang MOSFET nga masunog kung ang VDD sobra sa boltahe. Tungod kay sa wala pa ang overvoltage makapahinabog kadaot sa MOSFET, ang diode balikbalik nga maguba una ug idirekta ang dako nga sulog sa yuta, sa ingon mapugngan ang MOSFET nga masunog.
Unsa ang IGBT?
Ang IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) usa ka compound nga semiconductor device nga gilangkuban sa usa ka transistor ug usa ka MOSFET.
Ang mga simbolo sa sirkito sa IGBT wala pa magkahiusa. Sa pagdrowing sa schematic diagram, ang mga simbolo sa triode ug MOSFET kasagarang hinulaman. Niini nga panahon, mahimo nimong hukman kung kini ba IGBT o MOSFET gikan sa modelo nga gimarkahan sa schematic diagram.
Sa parehas nga oras, kinahanglan nimo usab nga hatagan pagtagad kung ang IGBT adunay body diode. Kung wala kini gimarkahan sa litrato, wala kini magpasabut nga wala kini. Gawas kung ang opisyal nga datos espesipikong nagpahayag kung dili, kini nga diode naa. Ang body diode sa sulod sa IGBT dili parasitiko, apan espesyal nga gipahimutang aron mapanalipdan ang mahuyang nga reverse withstand nga boltahe sa IGBT. Gitawag usab kini nga FWD (freewheeling diode).
Lahi ang internal nga istruktura sa duha
Ang tulo ka poste sa MOSFET mao ang source (S), drain (D) ug gate (G).
Ang tulo ka poste sa IGBT mao ang collector (C), emitter (E) ug gate (G).
Ang IGBT gihimo pinaagi sa pagdugang og dugang nga layer sa drain sa usa ka MOSFET. Ang ilang internal nga istruktura mao ang mosunod:
Ang mga natad sa aplikasyon sa duha lahi
Ang mga internal nga istruktura sa MOSFET ug IGBT lahi, nga nagtino sa ilang mga natad sa aplikasyon.
Tungod sa istruktura sa MOSFET, kini kasagarang makab-ot ang usa ka dako nga kasamtangan, nga makaabot sa KA, apan ang gikinahanglan nga boltahe nga makasugakod sa kapabilidad dili sama ka lig-on sa IGBT. Ang mga nag-unang lugar nga aplikasyon niini mao ang pagbalhin sa mga suplay sa kuryente, ballast, high-frequency induction heating, high-frequency inverter welding machines, communication power supply ug uban pang high-frequency power supply fields.
Ang IGBT makahimo og daghang gahum, kasamtangan ug boltahe, apan ang frequency dili kaayo taas. Sa pagkakaron, ang lisud nga switching speed sa IGBT mahimong moabot sa 100KHZ. Ang IGBT kaylap nga gigamit sa welding machines, inverters, frequency converters, electroplating electrolytic power supplies, ultrasonic induction heating ug uban pang natad.
Pangunang bahin sa MOSFET ug IGBT
Ang MOSFET adunay mga kinaiya sa taas nga input impedance, paspas nga switching speed, maayo nga thermal stability, boltahe nga kontrol sa kasamtangan, ug uban pa Sa sirkito, kini mahimong gamiton isip amplifier, electronic switch ug uban pang mga katuyoan.
Isip usa ka bag-ong matang sa electronic semiconductor device, ang IGBT adunay mga kinaiya sa taas nga input impedance, ubos nga boltahe nga kontrol sa konsumo sa kuryente, yano nga kontrol sa sirkito, taas nga boltahe nga pagsukol, ug dako nga kasamtangan nga pagkamatugtanon, ug kaylap nga gigamit sa nagkalain-laing electronic circuits.
Ang sulundon nga katumbas nga sirkito sa IGBT gipakita sa numero sa ubos. Ang IGBT sa tinuud usa ka kombinasyon sa MOSFET ug transistor. Ang MOSFET adunay disbentaha sa taas nga resistensya, apan gibuntog sa IGBT kini nga kakulangan. Ang IGBT adunay ubos nga resistensya sa taas nga boltahe. .
Sa kinatibuk-an, ang bentaha sa MOSFET mao nga kini adunay maayo nga high-frequency nga mga kinaiya ug mahimong molihok sa usa ka frequency nga gatusan ka kHz ug hangtod sa MHz. Ang disbentaha mao nga ang on-resistance dako ug ang konsumo sa kuryente dako sa high-voltage ug high-current nga mga sitwasyon. Ang IGBT maayo nga nahimo sa ubos nga frequency ug taas nga mga sitwasyon sa kuryente, nga adunay gamay nga on-resistance ug taas nga resistensya sa boltahe.
Pilia ang MOSFET o IGBT
Sa sirkito, kon pilion ba ang MOSFET isip power switch tube o IGBT maoy usa ka pangutana nga sagad masugatan sa mga inhenyero. Kung ang mga hinungdan sama sa boltahe, kasamtangan, ug gahum sa pagbalhin sa sistema gikonsiderar, ang mga musunud nga punto mahimong i-summarize:
Kanunay mangutana ang mga tawo: "Mas maayo ba ang MOSFET o IGBT?" Sa pagkatinuod, walay maayo o dili maayo nga kalainan tali sa duha. Ang labing hinungdanon nga butang mao ang pagtan-aw sa aktuwal nga aplikasyon niini.
Kung naa ka pay pangutana bahin sa kalainan tali sa MOSFET ug IGBT, mahimo nimong kontakon si Olukey alang sa mga detalye.
Ang Olukey nag-una nga nag-apod-apod sa WINSOK nga medium ug ubos nga boltahe nga MOSFET nga mga produkto. Ang mga produkto kaylap nga gigamit sa industriya sa militar, LED/LCD driver boards, motor driver boards, fast charging, electronic cigarettes, LCD monitors, power supplies, gagmay nga mga gamit sa panimalay, medikal nga mga produkto, ug Bluetooth nga mga produkto. Mga timbangan sa elektroniko, elektroniko sa salakyanan, mga produkto sa network, mga gamit sa balay, mga peripheral sa kompyuter ug lainlaing mga produkto sa digital.
Oras sa pag-post: Dis-18-2023
