Unsa ang upat ka mga rehiyon sa usa ka MOSFET?

 

Ang upat ka mga rehiyon sa usa ka N-channel nga pagpaayo sa MOSFET

(1) Variable resistance region (gitawag usab nga unsaturated region)

Ucs" Ucs (th) (turn-on boltahe), uDs" UGs-Ucs (th), mao ang rehiyon sa wala sa preclamped trace sa numero diin ang channel gi-on. Ang kantidad sa mga UD gamay ra sa kini nga rehiyon, ug ang resistensya sa channel sa panguna kontrolado lamang sa mga UG. Kung sigurado ang mga uG, ang ip ug uDs mahimong usa ka linear nga relasyon, ang rehiyon gibanabana nga usa ka hugpong sa mga tul-id nga linya. Sa niini nga panahon, ang uma epekto tube D, S sa taliwala sa katumbas sa usa ka boltahe UGS

Gikontrol sa boltahe UGS variable resistance.

(2) kanunay nga kasamtangan nga rehiyon (nailhan usab nga saturation region, amplification region, active region)

Ucs ≥ Ucs (h) ug Ubs ≥ UcsUssth), alang sa numero sa tuo nga kilid sa pre-pinch off track, apan wala pa mabungkag sa rehiyon, sa rehiyon, kung ang uGs kinahanglan, ib halos dili pagbag-o sa mga UD, usa ka kanunay nga kasamtangan nga mga kinaiya. ako kontrolado lamang sa mga UG, unya ang MOSFETD, S katumbas sa usa ka boltahe uGs kontrol sa kasamtangan nga tinubdan. Ang MOSFET kay gigamit sa amplification circuits, kasagaran sa trabaho sa MOSFET D, S katumbas sa boltahe nga uGs control current source. Ang MOSFET nga gigamit sa amplification circuits, kasagaran nagtrabaho sa rehiyon, mao nga nailhan usab nga amplification area.

(3) Clip-off area (gitawag usab nga cut-off area)

Clip-off nga lugar (nailhan usab nga cut-off area) aron matubag ang ucs "Ues (th) para sa numero nga duol sa pinahigda nga axis sa rehiyon, ang channel tanan gi-clamp, nailhan nga full clip off, io = 0 , ang tubo dili molihok.

(4) lokasyon sa breakdown zone

Ang breakdown nga rehiyon nahimutang sa rehiyon sa tuo nga bahin sa numero. Uban sa nagkadaghang UDs, ang PN junction gipailalom sa sobra nga reverse boltahe ug pagkahugno, ang ip nagdugang pag-ayo. Ang tubo kinahanglan nga operahan aron malikayan ang pag-opera sa rehiyon sa pagkaguba. Ang pagbalhin nga kinaiya nga kurba mahimong makuha gikan sa output nga kinaiya nga kurba. Sa pamaagi nga gigamit ingon nga usa ka graph sa pagpangita. Pananglitan, sa Figure 3 (a) alang sa Ubs = 6V bertikal nga linya, ang intersection niini uban sa lain-laing mga kurba katumbas sa i, Uss bili sa ib- Uss coordinates konektado sa kurba, nga mao, sa pagkuha sa pagbalhin kinaiya kurba.

Parameter saMOSFET

Adunay daghang mga parameter sa MOSFET, lakip ang mga DC parameter, AC parameter ug limit nga mga parameter, apan ang mosunod lamang nga mga nag-unang mga parameter ang kinahanglan nga mabalaka sa komon nga paggamit: saturated drain-source nga kasamtangan nga IDSS pinch-off nga boltahe Up, (junction-type nga mga tubo ug pagkunhod -type nga insulated-gate tubes, o turn-on voltage UT (reinforced insulated-gate tubes), trans-conductance gm, leakage-source breakdown voltage BUDS, maximum dissipated power PDSM, ug maximum drain-source current IDSM.

(1) Ang saturated drain nga kasamtangan

Ang saturated drain nga kasamtangan nga IDSS mao ang drain nga kasamtangan sa usa ka junction o depletion type insulated gate MOSFET kung ang gate voltage UGS = 0.

(2) Clip-off nga boltahe

Ang pinch-off nga boltahe UP mao ang boltahe sa ganghaan sa usa ka junction-type o depletion-type nga insulated-gate MOSFET nga moputol lang tali sa drain ug source. Ingon sa gipakita sa 4-25 alang sa N-channel tube UGS usa ka kurba sa ID, masabtan aron makita ang kamahinungdanon sa IDSS ug UP

MOSFET upat ka rehiyon

(3) Turn-on nga boltahe

Ang turn-on nga boltahe nga UT mao ang boltahe sa ganghaan sa usa ka gipalig-on nga insulated-gate MOSFET nga naghimo sa inter-drain-source nga conductive lang.

(4) Transconductance

Ang transconductance gm mao ang pagkontrol sa abilidad sa ganghaan tinubdan boltahe UGS sa habwa, habwa, ie, ang ratio sa kausaban sa habwa, habwa, kasamtangan nga ID sa kausaban sa ganghaan tinubdan boltahe UGS. Ang 9m usa ka hinungdanon nga parameter nga nagtimbang sa abilidad sa pagpadako saMOSFET.

(5) Pag-ubos sa boltahe sa pagkaguba sa gigikanan

Drain tinubdan breakdown boltahe BUDS nagtumong sa ganghaan tinubdan boltahe UGS piho, MOSFET normal nga operasyon makadawat sa maximum habwa, boltahe tinubdan. Kini usa ka limitasyon nga parameter, idugang sa MOSFET operating boltahe kinahanglan nga ubos pa kay sa BUDS.

(6) Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum

Maximum nga gahum pagkawagtang PDSM mao usab ang usa ka limitasyon parameter, nagtumong saMOSFETperformance dili deteriorate sa diha nga ang maximum permissible leakage tinubdan gahum pagkawagtang. Kung gamiton ang MOSFET praktikal nga konsumo sa kuryente kinahanglan nga mas gamay kaysa sa PDSM ug magbilin usa ka piho nga margin.

(7) Pinakataas nga Agos sa Pag-agos

Maximum leakage kasamtangan nga IDSM mao ang lain nga limitasyon parameter, nagtumong sa normal nga operasyon sa MOSFET, ang leakage tinubdan sa maximum kasamtangan nga gitugotan sa pag-agi pinaagi sa MOSFET operating kasamtangan kinahanglan nga dili molapas sa IDSM.

Prinsipyo sa Operating MOSFET

Ang operating prinsipyo sa MOSFET (N-channel enhancement MOSFET) mao ang paggamit sa VGS aron makontrol ang kantidad sa "inductive charge", aron mabag-o ang kondisyon sa conductive channel nga naporma niining mga "inductive charge", ug dayon aron makab-ot ang katuyoan sa pagkontrolar sa agianan sa tubig. Ang katuyoan mao ang pagpugong sa agianan sa tubig. Sa paghimo sa mga tubo, pinaagi sa proseso sa paghimo sa usa ka dako nga gidaghanon sa mga positibo nga ion sa insulating layer, mao nga sa pikas nga bahin sa interface mahimong maaghat mas negatibo nga mga sumbong, kini nga mga negatibo nga mga sumbong mahimong maaghat.

Kung ang boltahe sa ganghaan mausab, ang kantidad sa bayad nga gipahinabo sa channel usab mausab, ang gilapdon sa conductive channel usab mausab, ug sa ingon ang drain nga kasamtangan nga ID mausab sa boltahe sa ganghaan.

MOSFET nga papel

I. MOSFET mahimong magamit sa amplification. Tungod sa taas nga input impedance sa MOSFET amplifier, ang coupling capacitor mahimong mas gamay nga kapasidad, nga walay paggamit sa mga electrolytic capacitor.

Ikaduha, ang taas nga input impedance sa MOSFET haom kaayo alang sa impedance conversion. Kasagaran nga gigamit sa multi-stage amplifier input stage alang sa impedance conversion.

Ang MOSFET mahimong gamiton isip variable resistor.

Ikaupat, ang MOSFET dali nga magamit ingon usa ka kanunay nga gigikanan sa karon.

Ikalima, ang MOSFET mahimong gamiton isip electronic switch.