Pag-ila sa Insulated Layer Gate MOSFETs

Insulation layer gate type nga MOSFET aliasMOSFET (human niini gitawag nga MOSFET), nga adunay usa ka sakoban sa kable sa silicon dioxide sa tunga-tunga sa boltahe sa ganghaan ug habwa sa tinubdan.

MOSFET usabN-channel ug P-channel duha ka mga kategoriya, apan ang matag kategoriya gibahin ngadto sa enhancement ug light depletion type nga duha, busa adunay total nga upat ka matang:Pagpalambo sa N-channel, P-channel enhancement, N-channel nga pagkunhod sa kahayag, P-channel light depletion type. Apan diin ang ganghaan tinubdan boltahe mao ang zero, ang habwa, habwa, zero usab sa tubo mao ang gipalambo nga tubo. Bisan pa, kung ang boltahe sa gigikanan sa ganghaan mao ang zero, ang alisngaw nga kasamtangan dili zero gi-categorize nga mga tubo nga tipo nga gigamit ang kahayag.
Gipalambo nga prinsipyo sa MOSFET:

Sa diha nga ang pagtrabaho sa tunga-tunga sa ganghaan tinubdan dili mogamit sa boltahe, ang tunga-tunga sa habwa, habwa, tinubdan PN junction anaa sa atbang nga direksyon, mao nga walay conductive channel, bisan kon ang tunga-tunga sa habwa, habwa, ang tinubdan sa usa ka boltahe, ang conductive trench koryente sirado, kini dili posible nga adunay usa ka nagtrabaho kasamtangan sumala sa. Sa diha nga ang tunga-tunga sa ganghaan tinubdan plus positibo nga direksyon boltahe ngadto sa usa ka piho nga bili, sa tunga-tunga sa habwa, habwa, ug sa pagmugna sa usa ka conductive kaluwasan channel, sa pagkaagi nga ang conductive trench lang nga gihimo niini nga ganghaan tinubdan boltahe mao ang gitawag nga bukas nga boltahe VGS, ang mas dako sa tunga-tunga sa ganghaan tinubdan boltahe, ang conductive trench mao ang mas lapad, nga sa baylo naghimo pinaagi sa mas dako nga dagan sa elektrisidad.

Prinsipyo sa Light Dissipative MOSFET:

Sa operasyon, walay boltahe nga gigamit sa tunga-tunga sa tinubdan sa ganghaan, dili sama sa enhancement type MOSFET, ug usa ka conductive channel anaa sa tunga-tunga sa drain source, mao nga usa lamang ka positibo nga boltahe ang idugang sa tunga-tunga sa drain source, nga nagresulta sa usa ka pag-agos sa agianan sa tubig. Dugang pa, ang tinubdan sa ganghaan sa tunga-tunga sa positibo nga direksyon sa boltahe, ang conductive channel pagpalapad, idugang ang kaatbang nga direksyon sa boltahe, ang conductive channel mikunhod, pinaagi sa dagan sa elektrisidad mahimong mas gamay, uban sa pagpalambo sa MOSFET pagtandi, mahimo usab kini sa positibo ug negatibo nga gidaghanon sa usa ka piho nga gidaghanon sa mga rehiyon sulod sa conductive channel.

Kaepektibo sa MOSFET:

Una, ang mga MOSFET gigamit sa pagpadako. Tungod kay ang input resistance sa MOSFET amplifier taas kaayo, mao nga ang filter capacitor mahimong mas gamay, nga walay panginahanglan sa paggamit sa electrolytic capacitors.

Ikaduha, ang MOSFET nga taas kaayo nga resistensya sa input labi nga angay alang sa kinaiya nga pagkakabig sa impedance. Kasagaran nga gigamit sa multi-level amplifier input stage alang sa kinaiya nga pagkakabig sa impedance.

Ang MOSFET mahimong gamiton isip adjustable resistor.

Ikaupat, ang MOSFET mahimong kombenyente isip suplay sa kuryente sa DC.

Ang V. MOSFET mahimong gamiton isip switching element.