MOSFET Anti-Reverse Circuit

Una, ang sukaranan nga prinsipyo sa MOSFET anti-reverse circuit

MOSFET anti-reverse circuit gamit ang switching nga mga kinaiya sa MOSFET, pinaagi sa pagkontrol sa gate (G) boltahe aron maamgohan ang circuit on ug off. Kung husto ang polarity sa suplay sa kuryente, ang boltahe sa ganghaan naghimo sa MOSFET sa estado sa pagpadagan, ang kasamtangan mahimong normal nga modagayday; kung ang polarity sa suplay sa kuryente mabalik, ang boltahe sa ganghaan dili makahimo sa pagpadagan sa MOSFET, sa ingon giputol ang sirkito.

Ikaduha, ang piho nga katumanan sa MOSFET anti-reverse circuit

1. N-channel MOSFET anti-reverse circuit

Ang mga N-channel nga MOSFET kasagarang gigamit aron makaamgo sa mga anti-reverse circuit. Sa sirkito, ang tinubdan (S) sa N-channel MOSFET konektado sa negatibong terminal sa load, ang drain (D) konektado sa positibo nga terminal sa suplay sa kuryente, ug ang ganghaan (G) konektado sa ang negatibo nga terminal sa suplay sa kuryente pinaagi sa usa ka resistor o kontrolado sa usa ka control circuit.

Sa unahan nga koneksyon: ang positibo nga terminal sa suplay sa kuryente konektado sa D, ug ang negatibo nga terminal konektado sa S. Niini nga panahon, ang resistor naghatag sa boltahe sa tinubdan sa ganghaan (VGS) alang sa MOSFET, ug kung ang VGS mas dako pa sa threshold boltahe (Vth) sa MOSFET, ang MOSFET nagpahigayon, ug ang kasamtangan nga nagaagay gikan sa positibo nga terminal sa suplay sa kuryente ngadto sa load pinaagi sa MOSFET.

Kung balihon: ang positibo nga terminal sa suplay sa kuryente konektado sa S, ug ang negatibo nga terminal konektado sa D. Niini nga panahon, ang MOSFET naa sa usa ka cutoff nga estado ug ang sirkito gidiskonekta aron mapanalipdan ang load gikan sa kadaot tungod kay ang boltahe sa ganghaan dili makahimo sa pagporma og igo nga VGS aron mahimo ang MOSFET nga paggawi (ang VGS mahimong ubos sa 0 o mas ubos kay sa Vth).

2. Papel sa Auxiliary Components

Resistor: Gigamit sa paghatag boltahe sa tinubdan sa ganghaan alang sa MOSFET ug limitahan ang kasamtangan nga ganghaan aron malikayan ang kadaot sa overcurrent sa ganghaan.

Voltage regulator: usa ka opsyonal nga sangkap nga gigamit aron mapugngan ang boltahe sa tinubdan sa ganghaan nga mahimong sobra ka taas ug maguba ang MOSFET.

Parasitic Diode: Usa ka parasitic diode (body diode) anaa sulod sa MOSFET, apan ang epekto niini kasagarang gibalewala o gilikayan sa circuit design aron malikayan ang makadaot nga epekto niini sa anti-reverse circuits.

Ikatulo, ang mga bentaha sa MOSFET anti-reverse circuit

 

Ubos nga pagkawala: MOSFET on-resistance gamay, ang on-resistance boltahe pagkunhod, mao nga ang circuit pagkawala mao ang gamay.

 

 

Taas nga kasaligan: ang anti-reverse function mahimong matuman pinaagi sa usa ka yano nga laraw sa sirkito, ug ang MOSFET mismo adunay taas nga lebel sa kasaligan.

 

Pagka-flexible: lain-laing mga modelo sa MOSFET ug mga disenyo sa sirkito mahimong mapili aron matubag ang lainlaing mga kinahanglanon sa aplikasyon.

 

Panagana

 

Sa laraw sa MOSFET anti-reverse circuit, kinahanglan nimo nga masiguro nga ang pagpili sa mga MOSFET aron matubag ang mga kinahanglanon sa aplikasyon, lakip ang boltahe, karon, katulin sa pagbalhin ug uban pang mga parameter.

 

Kinahanglan nga tagdon ang impluwensya sa ubang mga sangkap sa circuit, sama sa parasitic capacitance, parasitic inductance, ug uban pa, aron malikayan ang dili maayo nga mga epekto sa pasundayag sa circuit.

 

Sa praktikal nga mga aplikasyon, gikinahanglan usab ang igo nga pagsulay ug pag-verify aron masiguro ang kalig-on ug kasaligan sa circuit.

 

Sa katingbanan, ang MOSFET anti-reverse circuit usa ka yano, kasaligan ug ubos nga pagkawala nga pamaagi sa pagpanalipod sa suplay sa kuryente nga kaylap nga gigamit sa lainlaing mga aplikasyon nga nanginahanglan pagpugong sa reverse power polarity.