Ang mga MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) sagad giisip nga hingpit nga kontrolado nga mga himan. Kini tungod kay ang operating state (on o off) sa MOSFET hingpit nga kontrolado sa gate voltage (Vgs) ug wala magdepende sa base nga kasamtangan sama sa kaso sa bipolar transistor (BJT).
Sa usa ka MOSFET, ang boltahe sa ganghaan nga Vgs nagtino kung ang usa ka conducting channel naporma taliwala sa gigikanan ug kanal, ingon man ang gilapdon ug conductivity sa conducting channel. Kung ang Vgs molapas sa threshold boltahe Vt, ang conducting channel maporma ug ang MOSFET mosulod sa on-state; sa diha nga ang Vgs mahulog ubos sa Vt, ang conducting channel mawala ug ang MOSFET anaa sa cut-off nga estado. Kini nga kontrol hingpit nga kontrolado tungod kay ang boltahe sa ganghaan mahimo nga independente ug tukma nga makontrol ang operating state sa MOSFET nga wala magsalig sa ubang mga karon o boltahe nga mga parameter.
Sa kasukwahi, ang operating nga estado sa katunga-kontrolado nga mga himan (pananglitan, thyristors) dili lamang apektado sa kontrol boltahe o kasamtangan, apan usab sa ubang mga butang (eg, anode boltahe, kasamtangan, ug uban pa). Ingon usa ka sangputanan, ang hingpit nga kontrolado nga mga aparato (pananglitan, mga MOSFET) kasagarang nagtanyag labi ka maayo nga pasundayag sa mga termino sa katukma ug kadali sa pagkontrol.
Sa katingbanan, ang mga MOSFET hingpit nga kontrolado nga mga aparato kansang estado sa pag-opera hingpit nga kontrolado sa boltahe sa ganghaan, ug adunay mga bentaha sa taas nga katukma, taas nga pagka-flexible ug ubos nga konsumo sa kuryente.
Oras sa pag-post: Sep-20-2024
