Sa switch sa kuryente ug uban pang programa sa disenyo sa sistema sa suplay sa kuryente, ang mga tigdesinyo sa programa maghatag ug dugang nga pagtagad sa daghang dagkong mga parameter saMOSFET, sama sa on-off nga resistor, mas dako nga operating boltahe, mas dako nga dagan sa kuryente. Bisan tuod kini nga elemento mao angkritikal, nga gikonsiderar ang dili husto nga lugar maghimo sa sirkito sa suplay sa kuryente nga dili molihok sa husto, apan sa tinuud, nahuman ra ang una nga lakang,ang MOSFET Ang kaugalingon nga mga parameter sa parasitiko giisip nga hinungdanon nga butang nga makadaot sa sirkito sa suplay sa kuryente.
Diha-diha nga pagmaneho sa mga MOSFET nga adunay mga IC nga suplay sa kuryente
Ang maayong MOSFET driver circuit adunay mga mosunod nga probisyon:
(1) Sa higayon nga mapalihok ang switch, ang sirkito sa drayber kinahanglan nga makahimo sa pag-output sa usa ka dako kaayo nga kasamtangan, aron ang MOSFET gate-source inter-pole operating boltahe mobangon dayon ngadto sa gikinahanglan nga bili, aron masiguro nga ang switch mahimong ibalik. sa paspas ug walay high-frequency oscillations sa pagtaas sa ngilit.
(2) power switch on ug off nga panahon, ang drive circuit makasiguro nga ang MOSFET gate source inter-pole operating boltahe gimintinar sa dugay nga panahon, ug epektibo nga conduction.
(3) Pagsira sa usa ka gutlo sa drive circuit, makahatag sa usa ka ubos nga impedance channel alang sa MOSFET gate source capacitance operating boltahe tali sa paspas nga habwa, aron masiguro nga ang switch mahimong dali nga mapalong.
(4) Yano ug kasaligan nga pagtukod sa mga drive circuit nga adunay ubos nga pagkaguba.
(5) Sumala sa espesipikong sitwasyon sa pagdala sa proteksyon.
Sa control module power supply, ang labing komon mao ang power supply IC nga direktang nagmaneho sa MOSFET. aplikasyon, kinahanglan nga mobayad sa pagtagad ngadto sa mas dako nga drive sa labing taas nga bili sa dagan sa gahum, MOSFET-apod-apod kapasidad 2 nag-unang mga lantugi. Ang katakus sa pagmaneho sa Power IC, gidak-on sa kapasidad sa pag-apod-apod sa MOS, ang kantidad sa resistensya sa pagmaneho sa resistor makadaot sa rate sa pagbalhin sa gahum sa MOSFET. Kung ang pagpili sa MOSFET distribution capacitance medyo dako, ang power supply IC internal drive nga kapabilidad dili igo, kinahanglan nga anaa sa drive circuit aron mapalambo ang drive nga kapabilidad, kanunay nga magamit ang totem pole power supply circuit aron mapalambo ang power supply IC drive capability .
Oras sa pag-post: Hul-25-2024
