Giunsa Nagtrabaho ang Gipauswag nga Mga MOSFET sa Pakete

Kung nagdesinyo sa usa ka switching power supply o motor drive circuit gamit ang encapsulated MOSFETs, kadaghanan sa mga tawo naghunahuna sa on-resistance sa MOS, ang maximum nga boltahe, ug uban pa, ang maximum nga kasamtangan, ug uban pa, ug adunay daghan nga naghunahuna lamang niini nga mga hinungdan. Mahimong molihok ang ingon nga mga sirkito, apan dili kini maayo ug dili gitugotan ingon mga pormal nga disenyo sa produkto.

Ang mosunod usa ka gamay nga summary sa mga sukaranan sa MOSFET ugMOSFETmga sirkito sa drayber, nga akong gipasabut sa daghang mga gigikanan, dili tanan nga orihinal. Naglakip sa pagpaila sa mga MOSFET, mga kinaiya, pagmaneho ug mga sirkito sa aplikasyon. Ang pagputos sa mga tipo sa MOSFET ug junction MOSFET usa ka FET (lain nga JFET), mahimo nga gihimo sa gipauswag o tipo sa pagkunhod, P-channel o N-channel sa kinatibuk-an nga upat nga mga tipo, apan ang aktwal nga aplikasyon sa gipauswag nga N-channel MOSFET ug gipauswag nga P. -channel MOSFET, sa kasagaran gitawag nga NMOS, o PMOS nagtumong sa niining duha ka mga matang.

Sama sa kung nganong dili gamiton ang mga MOSFET nga tipo sa pagkaubos, dili girekomenda nga makuha ang ilawom niini. Alang niining duha ka matang sa pagpalambo sa MOSFETs, ang NMOS mas kasagarang gigamit tungod sa ubos nga resistensya niini ug kadali sa paghimo. Mao nga ang pagbalhin sa suplay sa kuryente ug mga aplikasyon sa pagmaneho sa motor, kasagarang gigamit ang NMOS. ang mosunod nga pasiuna, apan daghan paNMOS-base.

Ang mga MOSFET adunay parasitic capacitance tali sa tulo ka mga pin, nga dili kinahanglan, apan tungod sa mga limitasyon sa proseso sa paggama. Ang paglungtad sa parasitic capacitance sa disenyo o pagpili sa drive sirkito sa pipila ka mga kasamok, apan walay paagi sa paglikay, ug unya gihulagway sa detalye. Sama sa imong makita sa eskematiko sa MOSFET, adunay usa ka parasitic diode tali sa kanal ug sa gigikanan.

Gitawag kini nga body diode ug hinungdanon sa pagmaneho sa mga inductive load sama sa mga motor. Pinaagi sa dalan, ang diode sa lawas naa ra sa indibidwalMga MOSFETug kasagaran dili anaa sulod sa integrated circuit chip.MOSFET ON CharacteristicsOn nagpasabot sa paglihok isip switch, nga katumbas sa usa ka switch closure.

Ang mga kinaiya sa NMOS, ang mga Vgs nga mas dako pa sa usa ka piho nga kantidad ang magpahigayon, nga angay alang sa paggamit sa kaso kung ang gigikanan gi-grounded (low-end drive), basta ang boltahe sa ganghaan sa 4V o 10V. Ang mga kinaiya sa PMOS, ang mga Vgs nga ubos sa usa ka piho nga kantidad ang himuon, nga angay gamiton sa kaso kung ang gigikanan konektado sa VCC (high-end drive). Bisan pa, bisan kung ang PMOS dali nga magamit ingon usa ka high-end nga drayber, ang NMOS kasagarang gigamit sa mga high-end nga mga drayber tungod sa dako nga resistensya, taas nga presyo, ug pipila ka mga klase nga kapuli.

Packaging MOSFET switching tube pagkawala, bisan kini mao ang NMOS o PMOS, human sa conduction adunay on-resistance anaa, aron ang kasamtangan nga-ut-ut sa enerhiya niini nga pagsukol, kini nga bahin sa enerhiya-ut-ut mao ang gitawag nga conduction pagkawala. Ang pagpili sa usa ka MOSFET nga adunay gamay nga on-resistance makapakunhod sa pagkawala sa conduction. Karong panahona, ang on-resistance sa gamay nga power MOSFET sa kasagaran mga napulo ka milliohms, ug pipila ka milliohms ang anaa usab. Ang MOS kinahanglan dili makompleto sa usa ka instant kung kini nagpahigayon ug nagputol. Ang boltahe sa duha ka kilid sa MOS adunay usa ka proseso sa pagkunhod, ug ang kasamtangan nga nagaagay pinaagi niini adunay usa ka proseso sa pagdugang. Niini nga panahon, ang pagkawala sa MOSFET mao ang produkto sa boltahe ug sa kasamtangan, nga gitawag nga switching pagkawala. Kasagaran ang pagkawala sa pagbalhin mas dako kaysa pagkawala sa pagpadagan, ug kung mas paspas ang frequency sa pagbalhin, mas dako ang pagkawala. Ang produkto sa boltahe ug kasamtangan sa diha-diha nga sa conduction dako kaayo, nga miresulta sa dako nga pagkawala.

Ang pagpamubo sa oras sa pagbalhin makapakunhod sa pagkawala sa matag pagpaagi; ang pagkunhod sa frequency sa pagbalhin makapakunhod sa gidaghanon sa mga switch kada yunit sa oras. Ang duha niini nga mga pamaagi makapakunhod sa pagkawala sa switching. Ang produkto sa boltahe ug kasamtangan sa diha-diha nga sa conduction dako, ug ang resulta nga pagkawala mao usab dako. Ang pagpamubo sa oras sa pagbalhin makapakunhod sa pagkawala sa matag pagpaagi; ang pagkunhod sa frequency sa switching makapakunhod sa gidaghanon sa mga switch kada yunit sa oras. Ang duha niini nga mga pamaagi makapakunhod sa pagkawala sa switching. Pagmaneho Kon itandi sa bipolar transistors, kasagaran nagtuo nga walay kasamtangan nga gikinahanglan aron sa pagpabalik sa usa ka packaged MOSFET, basta ang GS boltahe labaw sa usa ka piho nga bili. Sayon ra kining buhaton, bisan pa, kinahanglan usab naton ang kadali. Ang istruktura sa encapsulated MOSFET makita sa presensya sa parasitic capacitance tali sa GS, GD, ug ang pagmaneho sa MOSFET mao, sa pagkatinuod, ang pag-charge ug pagdiskarga sa kapasidad. Ang pag-charge sa kapasitor nagkinahanglan og usa ka kasamtangan, tungod kay ang pag-charge dayon sa kapasitor makita nga usa ka mubo nga sirkito, mao nga ang dali nga kasamtangan mahimong mas dako. Ang unang butang nga matikdan sa diha nga pagpili / pagdesinyo sa usa ka MOSFET drayber mao ang gidak-on sa diha-diha nga short-circuit nga kasamtangan nga mahimong gihatag.

Ang ikaduha nga butang nga timan-an mao nga, sa kasagaran gigamit sa high-end drive NMOS, ang on-time nga boltahe sa ganghaan kinahanglan nga mas dako kaysa sa gigikanan nga boltahe. High-end drive MOSFET conduction tinubdan boltahe ug habwa, habwa, boltahe (VCC) sa mao usab nga, mao nga ang ganghaan boltahe kay sa VCC 4 V o 10 V. Kon sa sama nga sistema, sa pagkuha sa usa ka mas dako nga boltahe kay sa VCC, kita adunay sa specialize sa nagpadako nga mga sirkito. Daghang mga drayber sa motor ang adunay integrated charge pumps, importante nga hinumdoman nga kinahanglan nimo nga pilion ang angay nga eksternal nga kapasidad, aron makakuha og igo nga short-circuit nga kasamtangan nga magmaneho sa MOSFET. Ang 4V o 10V sagad nga gigamit sa boltahe sa estado sa MOSFET, siyempre, ang disenyo kinahanglan nga adunay usa ka piho nga margin. Ang mas taas nga boltahe, mas paspas ang on-state speed ug mas ubos ang on-state resistance. Karong panahona, adunay mga MOSFET nga adunay mas gamay nga boltahe sa estado nga gigamit sa lainlaing mga natad, apan sa 12V automotive electronic system, kasagaran ang 4V on-state igo na.MOSFET drive circuit ug ang pagkawala niini.