Nahibal-an ba nimo ang bahin sa ebolusyon sa MOSFET?

I. Sayong mga konsepto ug eksplorasyon

Gisugyot nga konsepto:Ang pag-imbento sa MOSFET masubay balik hangtod sa 1830s, sa dihang ang konsepto sa field effect transistor gipaila sa German nga Lilienfeld. Bisan pa, ang mga pagsulay niining panahona wala molampos sa pagkaamgo sa usa ka praktikal nga MOSFET.

Usa ka pasiuna nga pagtuon:Pagkahuman, ang Bell Labs sa Shaw Teki (Shockley) ug uban pa misulay usab sa pagtuon sa pag-imbento sa mga tubo nga epekto sa uma, apan ang parehas napakyas nga molampos. Bisan pa, ang ilang panukiduki nagpahimutang sa pundasyon alang sa ulahi nga pag-uswag sa MOSFET.

II. Ang pagkahimugso ug inisyal nga pag-uswag sa mga MOSFET

Pangunang Kauswagan:Sa 1960, si Kahng ug Atalla aksidenteng nakaimbento sa MOS field effect transistor (MOS transistor alang sa mubo) sa proseso sa pagpalambo sa performance sa bipolar transistor nga adunay silicon dioxide (SiO2). Kini nga imbensyon nagtimaan sa pormal nga pagsulod sa mga MOSFET sa integrated circuit manufacturing industry.

Pagpauswag sa Performance:Sa pag-uswag sa teknolohiya sa proseso sa semiconductor, ang pasundayag sa mga MOSFET nagpadayon sa pag-uswag. Pananglitan, ang operating boltahe sa high-voltage power MOS mahimong moabot sa 1000V, ang resistensya nga bili sa ubos nga on-resistance MOS mao lamang ang 1 ohm, ug ang operating frequency gikan sa DC ngadto sa pipila ka megahertz.

III. Lapad nga aplikasyon sa MOSFETs ug teknolohikal nga kabag-ohan

Kaylap nga gigamit:Ang mga MOSFET kaylap nga gigamit sa lain-laing mga electronic device, sama sa microprocessors, memory, logic circuits, ug uban pa, tungod sa ilang maayo kaayo nga performance. Sa modernong elektronik nga mga himan, ang MOSFET usa sa mga kinahanglanon nga sangkap.

 

Teknolohikal nga kabag-ohan:Aron makab-ot ang mga kinahanglanon sa mas taas nga mga frequency sa operasyon ug mas taas nga lebel sa kuryente, ang IR nagpalambo sa unang power MOSFET. sunodsunod, daghang bag-ong mga matang sa power device ang gipaila, sama sa IGBTs, GTOs, IPMs, ug uban pa, ug mas kaylap nga gigamit sa may kalabutan nga mga natad.

Kabag-ohan sa materyal:Uban sa pag-uswag sa teknolohiya, bag-ong mga materyales ang gisusi alang sa paggama sa mga MOSFET; pananglitan, ang silicon carbide (SiC) nga mga materyales nagsugod sa pagdawat sa pagtagad ug panukiduki tungod sa ilang labaw nga pisikal nga mga kabtangan.SiC nga mga materyales adunay mas taas nga thermal conductivity ug gidili nga bandwidth kon itandi sa conventional Si nga mga materyales, nga nagtino sa ilang maayo kaayo nga mga kabtangan sama sa taas nga kasamtangan nga densidad, taas. kusog sa natad sa pagkaguba, ug taas nga temperatura sa pag-operate.

Ikaupat, MOSFET's cutting-edge nga teknolohiya ug development direksyon

Dual Gate Transistors:Gisulayan ang lainlaing mga teknik sa paghimo og dual gate transistors aron mapauswag pa ang pasundayag sa mga MOSFET. Ang dual gate MOS transistors adunay mas maayo nga pag-uros kumpara sa usa ka ganghaan, apan ang ilang pag-uros limitado gihapon.

 

Mubo nga epekto sa trench:Usa ka importante nga direksyon sa pag-uswag alang sa mga MOSFET mao ang pagsulbad sa problema sa short-channel nga epekto. Ang epekto sa mubo nga channel maglimite sa dugang nga pag-uswag sa performance sa device, mao nga gikinahanglan nga mabuntog kini nga problema pinaagi sa pagkunhod sa giladmon sa junction sa tinubdan ug mga rehiyon sa habwa, ug pag-ilis sa tinubdan ug pag-agas sa PN junctions sa metal-semiconductor contacts.