GahumMOSFET Ang "MOSFET" mao ang "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" nga gipasiugdahan. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metal material, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, warin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht depletien het type, N-kanaal type ug P-kanaal type.
Power MOSFET's pulong sa ibabaw sa iyang mga algemeen gebruikt voor schekelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten de parameter RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) mao ang usa ka kritieke apparaatkarakteristiek alang sa ORing FET-toepassingen. De Data Information Guide definieert RDS(ON) in relatie tot de bedrijfsspanning van de gate, VGS, en de stroom die door de vermogenschakelaar vloeit, maar RDS(ON) is een relatieve statische gegevensparameter voor voldoende gate drive.
Ang mga MOSFET-fabrikant ug schakelende voeding will ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Adunay daghang mga higayon nga gusto nimo nga makit-an ang labing kadaghan nga mga buluhatonMga MOSFET parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. Sa veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in serie schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kay worden gereduceerd.
Ang labing kadaghan nga RDS(ON), sa kini nga mga proseso sa MOSFET nga pilion, mahimo nimo nga makit-an ang mga parameter sa MOSFET nga kinahanglan nimo nga kritikal alang sa mga tiggamit. Sa wala pa ang mga tawo nga adunay daghang mga tawo gipahibalo sa SOA-grafiek sa Giya sa Impormasyon sa Data, namatay ang mga correlatie nga tussen drainstroom ug drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Alang sa mga grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET veilig sa werken.
Alang sa mga sa ibabaw nga matang sa mga kondisyon sa pagkarga, human sa pagbanabana (o pagsukod) sa mas dako nga operating boltahe, ug unya sa pagbiya sa usa ka margin sa 20% ngadto sa 30%, nga imong mahimo espesipiko sa gikinahanglan nga rated kasamtangan nga VDS bili sa MOSFET. Dinhi kinahanglan nga isulti mao nga, aron sa mas maayo nga mas lig-on nga gasto ug hapsay nga mga kinaiya, mahimo sa pagpili sa AC kasamtangan nga serye kasamtangan nga diodes ug inductors sa pagsira sa komposisyon sa kasamtangan nga kontrol laang, buhian gikan sa inductive kasamtangan kinetic enerhiya sa pagpadayon sa MOSFET. ang rated nga kasamtangan mao ang tin-aw, ang kasamtangan nga mahimong deduced. Apan dinhi kinahanglan nga tagdon ang duha ka mga lantugi: ang usa mao ang bili sa kasamtangan sa padayon nga operasyon ug ang pinakataas nga bili sa usa ka pulso kasamtangan nga spike (Spike ug Surge), kining duha ka mga lantugi sa paghukom kon sa unsang paagi sa daghan nga kamo kinahanglan nga mopili sa rated nga bili sa kasamtangan nga bili.
Panahon sa pag-post: Mayo-27-2024
