Ang duha ka nag-unang hinungdanof MOSFET kapakyasan:
Pagkapakyas sa boltahe: sa ato pa, ang boltahe sa BVdss tali sa kanal ug gigikanan milapas sa gimarkahan nga boltahe saMOSFET ug moabot usa ka piho nga kapasidad, hinungdan nga mapakyas ang MOSFET.
Pagkapakyas sa Boltahe sa Ganghaan: Ang ganghaan nag-antos sa abnormal nga boltahe nga spike, nga miresulta sa pagkapakyas sa layer sa oxygen sa ganghaan.
Pagkahugno nga sayup (pagkapakyas sa boltahe)
Unsa man gyud ang kadaot sa avalanche? Sa yanong pagkasulti,usa ka MOSFET maoy usa ka failure mode nga gihimo sa superposition tali sa bus voltages, transformer reflection voltages, leakage spike voltages, ug uban pa ug sa MOSFET. Sa laktod, usa kini ka kasagarang kapakyasan nga mahitabo kung ang boltahe sa drain-source pole sa usa ka MOSFET milapas sa iyang gitakda nga kantidad sa boltahe ug moabot sa usa ka limitasyon sa enerhiya.
Mga lakang aron malikayan ang kadaot sa avalanche:
-Pakunhod ang dosis sa hustong paagi. Sa niini nga industriya, kini sa kasagaran mikunhod sa 80-95%. Pagpili base sa mga termino sa warranty sa kompanya ug mga prayoridad sa linya.
-Reflective boltahe mao ang makatarunganon.
-RCD, ang disenyo sa sirkito sa pagsuyup sa TVS makatarunganon.
-Ang taas nga kasamtangan nga mga kable kinahanglan nga ingon ka dako kutob sa mahimo aron mamenosan ang parasitic inductance.
-Pilia ang angay nga gate resistor Rg.
-Idugang ang RC damping o Zener diode absorption alang sa taas nga suplay sa kuryente kung gikinahanglan.
Pagkapakyas sa Boltahe sa Ganghaan
Adunay tulo ka nag-unang hinungdan sa abnormally taas nga grid voltages: static nga kuryente sa panahon sa produksyon, transportasyon ug asembliya; taas nga boltahe nga resonance nga namugna sa parasitic nga mga parameter sa mga ekipo ug mga sirkito sa panahon sa operasyon sa sistema sa kuryente; ug pagpasa sa taas nga boltahe pinaagi sa Ggd ngadto sa grid atol sa high voltage shocks (usa ka sayup nga mas komon atol sa pagsulay sa kilat).
Mga lakang aron malikayan ang mga sayup sa boltahe sa ganghaan:
Ang proteksyon sa overvoltage tali sa ganghaan ug gigikanan: Kung ang impedance tali sa ganghaan ug gigikanan labi ka taas, ang kalit nga pagbag-o sa boltahe tali sa ganghaan ug gigikanan giubanan sa ganghaan pinaagi sa kapasidad sa taliwala sa mga electrodes, nga miresulta sa usa ka taas kaayo nga boltahe sa UGS nga sobra nga regulasyon, misangpot sa sobrang regulasyon sa ganghaan. Permanenteng oxidative nga kadaot. Kung ang UGS naa sa positibo nga lumalabay nga boltahe, ang aparato mahimo usab nga hinungdan sa mga sayup. Sa niini nga basehan, ang impedance sa gate drive circuit kinahanglan nga tukma nga pagkunhod ug ang usa ka damping resistor o 20V stabilizing boltahe kinahanglan nga konektado sa taliwala sa ganghaan ug sa tinubdan. Ang partikular nga pag-atiman kinahanglan nga buhaton aron malikayan ang bukas nga operasyon sa pultahan.
Overvoltage nga proteksyon tali sa discharge tubes: Kung adunay inductor sa sirkito, ang kalit nga mga pagbag-o sa leakage current (di/dt) kung ang yunit gipalong moresulta sa leakage nga boltahe nga overshoot nga labaw sa suplay sa boltahe, hinungdan sa kadaot sa yunit. Ang proteksyon kinahanglang maglakip ug Zener clamp, RC clamp, o RC suppression circuit.
Oras sa pag-post: Hul-17-2024
