N type, P type MOSFET working prinsipyo sa esensya mao ang sama nga, MOSFET nag-una nga gidugang ngadto sa input nga bahin sa ganghaan boltahe sa malampuson nga pagkontrolar sa output kilid sa habwa, habwa, MOSFET mao ang usa ka boltahe-kontrolado device, pinaagi sa boltahe gidugang sa ganghaan aron makontrol ang mga kinaiya sa aparato, dili sama sa triode nga buhaton ang oras sa pagbalhin tungod sa base karon nga gipahinabo sa epekto sa pagtipig sa bayad, sa pagbalhin sa mga aplikasyon, MOSFET's Sa pagbalhin sa mga aplikasyon,Mga MOSFET mas paspas ang switching speed kaysa sa triode.
Sa switching power supply, kasagarang gigamit nga MOSFET open drain circuit, ang drain konektado sa load sama sa gitawag nga open drain, open drain circuit, ang load konektado kung unsa kataas ang boltahe, makahimo sa pagpalong, pagpalong sa load kasamtangan, mao ang sulundon nga analog switching device, nga mao ang prinsipyo sa MOSFET sa pagbuhat sa switching mga himan, ang MOSFET sa pagbuhat switching sa porma sa dugang nga mga sirkito.
Sa mga termino sa pagbalhin sa mga aplikasyon sa suplay sa kuryente, kini nga aplikasyon nanginahanglan Mga MOSFET sa regular nga pagpahigayon, pagpalong, sama sa DC-DC nga suplay sa kuryente nga sagad gigamit sa batakang buck converter nagsalig sa duha ka MOSFETs sa paghimo sa switching function, kini nga mga switch alternately sa inductor aron tipigan ang enerhiya, buhian ang kusog sa load, kasagarang pilion. gatusan ka kHz o bisan labaw pa sa 1 MHz, tungod kay kung mas taas ang frequency, mas gamay ang magnetic nga mga sangkap. Atol sa normal nga operasyon, ang MOSFET katumbas sa usa ka konduktor, pananglitan, ang mga high-power nga MOSFET, gagmay nga boltahe nga MOSFET, mga sirkito, suplay sa kuryente mao ang minimum nga pagkawala sa pagpadagan sa MOS.
MOSFET PDF parameters, MOSFET manufacturers malampuson nga misagop sa RDS (ON) parameter sa paghubit sa on-estado impedance, alang sa switching aplikasyon, RDS (ON) mao ang labing importante nga device nga kinaiya; datasheets naghubit sa RDS (ON), ang ganghaan (o drive) boltahe VGS ug kasamtangan nga nagaagay pinaagi sa switch may kalabutan, alang sa igong gate drive, RDS (ON) mao ang usa ka medyo static parameter; Ang mga MOSFET nga naa na sa conduction dali nga makamugna og kainit, ug ang hinay nga pagtaas sa temperatura sa junction mahimong mosangpot sa pagtaas sa RDS (ON);MOSFET Ang mga datasheet nagtino sa parameter sa thermal impedance, nga gihubit ingon ang abilidad sa semiconductor junction sa MOSFET nga pakete nga mawala ang kainit, ug ang RθJC yano nga gihubit ingon ang junction-to-case thermal impedance.
1, ang frequency taas kaayo, usahay sobra nga paggukod sa gidaghanon, direkta nga mosangpot sa taas nga frequency, MOSFET sa pagkawala pagtaas, ang mas dako nga kainit, dili sa pagbuhat sa usa ka maayo nga trabaho sa igong kainit pagkabulag disenyo, taas nga kasamtangan, ang nominal kasamtangan nga bili sa MOSFET, ang panginahanglan alang sa maayo nga pagwagtang sa kainit aron makab-ot; ID mao ang ubos pa kay sa maximum nga kasamtangan, mahimong seryoso nga kainit, ang panginahanglan alang sa igong auxiliary heatsinks.
2, mga sayop sa pagpili sa MOSFET ug mga kasaypanan sa paghukom sa gahum, ang internal nga pagsukol sa MOSFET dili hingpit nga gikonsiderar, direktang mosangpot sa dugang nga switching impedance, sa dihang nag-atubang sa mga problema sa pagpainit sa MOSFET.
3, tungod sa mga problema sa disenyo sa sirkito, nga miresulta sa kainit, aron ang MOSFET magtrabaho sa usa ka linear operating state, dili sa switching state, nga usa ka direktang hinungdan sa pagpainit sa MOSFET, pananglitan, N-MOS do switching, ang G- ang lebel sa boltahe kinahanglan nga mas taas kay sa suplay sa kuryente sa pipila ka V, aron makahimo sa hingpit nga pagpaagi, ang P-MOS lahi; sa pagkawala sa usa ka bug-os nga bukas, ang boltahe drop mao ang dako kaayo, nga moresulta sa gahum konsumo, ang katumbas DC impedance mao ang mas dako, ang boltahe drop usab sa pagdugang, U * Ako usab sa pagdugang, ang pagkawala mosangpot sa kainit.
Oras sa pag-post: Aug-01-2024
