Adunay daghang mga kalainan sa mga simbolo sa sirkito nga sagad gigamit alang sa mga MOSFET. Ang labing kasagaran nga disenyo mao ang usa ka tul-id nga linya nga nagrepresentar sa channel, duha ka linya nga patindog sa channel nga nagrepresentar sa tinubdan ug drain, ug usa ka mas mubo nga linya parallel sa channel sa wala nga nagrepresentar sa ganghaan. Usahay ang tul-id nga linya nga nagrepresentar sa channel gipulihan usab sa usa ka putol nga linya aron mailhan tali sa enhancement modemosfet o depletion mode mosfet, nga gibahin usab sa N-channel MOSFET ug P-channel MOSFET duha ka matang sa mga simbolo sa sirkito sama sa gipakita sa numero (ang direksyon sa pana lainlain).
Ang mga Power MOSFET nagtrabaho sa duha ka panguna nga paagi:
(1) Kung ang usa ka positibo nga boltahe idugang sa D ug S (positibo nga pag-agas, negatibo ang gigikanan) ug UGS = 0, ang junction sa PN sa rehiyon sa lawas sa P ug ang rehiyon sa pag-agas sa N kay reverse biased, ug wala’y kasamtangan nga pag-agi tali sa D. ug S. Kon ang usa ka positibo nga boltahe UGS idugang sa taliwala sa G ug S, walay ganghaan kasamtangan nga modagayday tungod kay ang ganghaan insulated, apan ang usa ka positibo nga boltahe sa ganghaan moduso sa mga lungag gikan sa P rehiyon sa ilalum, ug ang minorya carrier electron ang. madani sa P rehiyon nawong Sa diha nga ang UGS mao ang mas dako pa kay sa usa ka piho nga boltahe UT, ang electron konsentrasyon sa nawong sa P rehiyon sa ilalum sa ganghaan molapas sa lungag konsentrasyon, sa ingon sa paghimo sa P-type semiconductor antipattern layer N-type semiconductor ; kini nga antipattern layer nag-umol sa usa ka N-type nga channel sa taliwala sa tinubdan ug habwa, aron ang PN junction mawala, ang tinubdan ug habwa, habwa, ug ang usa ka habwa, habwa, kasamtangan nga ID moagos pinaagi sa drain. Ang UT gitawag nga turn-on nga boltahe o ang boltahe sa threshold, ug ang labi nga UGS nga milabaw sa UT, labi nga konduktibo ang katakus sa konduktibo, ug labi ka dako ang ID. Kon mas dako ang UGS nga molapas sa UT, mas lig-on ang conductivity, mas dako ang ID.
(2) Kung ang D, S plus negatibo nga boltahe (positibo nga gigikanan, negatibo ang pag-agas), ang PN junction kay biased sa unahan, katumbas sa usa ka internal nga reverse diode (wala’y paspas nga pagtubag nga mga kinaiya), nga mao, angMOSFET walay reverse blocking nga kapabilidad, mahimong isipon nga inverse conduction component.
Pinaagi saMOSFET prinsipyo sa operasyon makita, ang iyang conduction lamang sa usa ka polarity carrier nga nalangkit sa conductive, mao nga nailhan usab nga unipolar transistor.MOSFET drive kasagaran base sa gahum suplay IC ug MOSFET parameters sa pagpili sa angay nga sirkito, MOSFET kasagaran gigamit alang sa switching power supply drive nga sirkito. Kung nagdesinyo ug switching power supply gamit ang MOSFET, kadaghanan sa mga tawo naghunahuna sa on-resistance, maximum voltage, ug maximum current sa MOSFET. Bisan pa, ang mga tawo kanunay nga gikonsiderar lamang kini nga mga hinungdan, aron ang sirkito molihok sa husto, apan dili kini maayo nga solusyon sa disenyo. Alang sa usa ka mas detalyado nga disenyo, ang MOSFET kinahanglan usab nga maghunahuna sa kaugalingon nga impormasyon sa parameter. Alang sa usa ka tino nga MOSFET, ang sirkito sa pagmaneho niini, ang peak current sa output sa drive, ug uban pa, makaapekto sa paglihok sa paglihok sa MOSFET.
Panahon sa pag-post: Mayo-17-2024
