MOSFET gamay nga kasamtangan nga pagpainit hinungdan ug mga lakang

Oras sa Pag-post: Mayo-19-2024

Ingon usa sa labing sukaranan nga mga aparato sa natad sa semiconductor, ang mga MOSFET kaylap nga gigamit sa parehas nga disenyo sa IC ug mga board-level circuit. Sa pagkakaron, ilabina sa natad sa high-power semiconductors, ang nagkalainlaing lain-laing mga istruktura sa MOSFETs nagdula usab ug dili mapulihan nga papel. KayMga MOSFET, ang istruktura nga maingon nga usa ka hugpong sa yano ug komplikado sa usa, yano nga yano sa istruktura niini, komplikado gibase sa aplikasyon sa lawom nga konsiderasyon niini. Sa adlaw-adlaw,MOSFET ang kainit giisip usab nga usa ka komon kaayo nga sitwasyon, ang yawe nga kinahanglan natong mahibal-an ang mga rason gikan diin, ug unsa nga mga pamaagi ang masulbad? Sunod magtigom ta aron masabtan.

I. Hinungdan saMOSFET pagpainit
1, ang problema sa disenyo sa sirkito. Kini mao ang pagtugot sa MOSFET nga magtrabaho sa online nga estado, dili sa switching state. Mao ni ang usa sa mga rason nganong init ang MOSFET. Kung ang N-MOS ang molihok, ang G-level nga boltahe kinahanglan nga pipila ka V nga mas taas kaysa sa suplay sa kuryente aron hingpit nga ma-on, ug ang sukwahi tinuod alang sa P-MOS. Dili hingpit nga bukas ug ang pag-drop sa boltahe dako kaayo nga moresulta sa konsumo sa kuryente, ang katumbas nga DC impedance medyo dako, ang pag-ubos sa boltahe nagdugang, mao nga ang U * I usab nagdugang, ang pagkawala nagpasabot sa kainit.

2, ang frequency taas kaayo. Sa panguna usahay sobra ra alang sa gidaghanon, nga miresulta sa dugang nga frequency, ang pagkawala sa MOSFET sa pagtaas, nga nagdala usab sa pagpainit sa MOSFET.

3, ang kasamtangan taas kaayo. Kung ang ID mas gamay kaysa sa labing taas nga sulud, kini usab ang hinungdan sa pag-init sa MOSFET.

4, ang pagpili sa modelo sa MOSFET sayop. Ang internal nga pagsukol sa MOSFET dili hingpit nga gikonsiderar, nga miresulta sa dugang nga switching impedance.二,

Ang solusyon alang sa grabe nga henerasyon sa kainit sa MOSFET
1, Paghimo og maayong trabaho sa disenyo sa heat sink sa MOSFET.

2, Idugang ang igo nga auxiliary heat sink.

3, Idikit ang heat sink adhesive.