Pagpili sa MOSFET | Mga Prinsipyo sa Pagtukod sa N-Channel MOSFET

Metal-Oxide-SemIConductor nga istruktura sa kristal nga transistor nga sagad nailhan ngaMOSFET, diin ang mga MOSFET gibahin sa P-type nga MOSFET ug N-type nga MOSFET. Ang integrated circuits nga gilangkuban sa MOSFETs gitawag usab nga MOSFET integrated circuits, ug ang suod nga kalambigitan nga MOSFET integrated circuits nga gilangkuban sa PMOSFETs ugMga NMOSFET gitawag ug CMOSFET integrated circuits.

Ang MOSFET nga naglangkob sa usa ka p-type nga substrate ug duha ka n-spreading nga mga lugar nga adunay taas nga konsentrasyon nga mga kantidad gitawag nga n-channel.MOSFET, ug ang conductive channel nga gipahinabo sa usa ka n-type nga conductive channel tungod sa n-spreading nga mga agianan sa duha ka n-spreading nga mga agianan nga adunay taas nga konsentrasyon nga mga kantidad kung ang tubo nagpahigayon. Ang n-channel nga gibag-on nga MOSFET adunay n-channel nga gipahinabo sa usa ka conductive channel kung ang usa ka positibo nga direksyon nga bias gipataas kutob sa mahimo sa ganghaan ug kung ang operasyon sa gigikanan sa ganghaan nanginahanglan usa ka boltahe sa operasyon nga labaw sa boltahe sa threshold. Ang n-channel depletion MOSFETs mao kadtong dili pa andam sa gate boltahe (gate source operation nagkinahanglan og operating boltahe sa zero). Ang n-channel light depletion MOSFET usa ka n-channel MOSFET diin ang conductive channel gipahinabo kung ang gate boltahe (ang gate source operating requirement operating boltahe mao ang zero) dili andam.

Ang NMOSFET integrated circuits mao ang N-channel MOSFET power supply circuit, NMOSFET integrated circuits, ang input resistance taas kaayo, ang kadaghanan dili kinahanglan nga makahilis sa pagsuyup sa power flow, ug sa ingon ang CMOSFET ug NMOSFET integrated circuits konektado nga dili kinahanglan nga kuhaon. account ang load sa power flow.NMOSFET integrated circuits, ang kadaghanan sa pagpili sa usa ka grupo positibo nga switching power supply circuit power supply circuits Ang kadaghanan sa Ang NMOSFET integrated circuits naggamit sa usa ka positibo nga switching power supply circuit power supply circuit, ug sa 9V alang sa dugang. Ang CMOSFET integrated circuits kinahanglan lang nga mogamit sa parehas nga switching power supply circuit power supply circuit sama sa NMOSFET integrated circuits, mahimong konektado dayon sa NMOSFET integrated circuits. Apan, gikan sa NMOSFET ngadto sa CMOSFET diha-diha dayon konektado, tungod kay ang NMOSFET output pull-up pagsukol mao ang ubos pa kay sa CMOSFET integrated sirkito keyed pull-up pagsukol, mao nga pagsulay sa paggamit sa usa ka potensyal nga kalainan pull-up resistor R, ang bili sa resistor R mao ang kasagaran 2 ngadto sa 100KΩ.

Pagtukod sa N-channel nga gibag-on nga MOSFET
Sa usa ka P-type nga silicon substrate nga adunay ubos nga doping concentration value, duha ka N nga rehiyon nga adunay taas nga doping concentration value ang gihimo, ug duha ka electrodes ang gikuha gikan sa aluminum metal aron magsilbing drain d ug ang source s, matag usa.

Unya sa semiconductor component nawong masking sa usa ka kaayo nga manipis nga layer sa silica insulating tube, sa habwa, habwa, tinubdan insulating tube sa taliwala sa habwa, ug tinubdan sa laing aluminum electrode, ingon sa ganghaan g.

Sa substrate usab nanguna sa usa ka electrode B, nga naglangkob sa usa ka N-channel nga gibag-on nga MOSFET. Ang tinubdan sa MOSFET ug substrate sa kasagaran konektado nga magkauban, ang kadaghanan sa tubo sa pabrika dugay na nga konektado niini, ang ganghaan niini ug uban pang mga electrodes gi-insulated sa tunga sa casing.