Importante nga mga Lakang sa Pagpili sa MOSFET

Karong panahona, uban sa paspas nga pag-uswag sa siyensya ug teknolohiya, ang mga semiconductor gigamit sa daghang mga industriya, diin angMOSFET gikonsiderar usab nga usa ka komon kaayo nga semiconductor device, ang sunod nga lakang mao ang pagsabut kung unsa ang kalainan tali sa mga kinaiya sa bipolar power crystal transistor ug ang output power MOSFET.

1, ang paagi sa pagtrabaho

MOSFET mao ang trabaho nga gikinahanglan aron sa pagpalambo sa operating boltahe, sirkito diagram nagpatin-aw medyo yano, pagpalambo sa gahum sa gamay; gahum kristal transistor mao ang usa ka gahum nga dagan sa pagpalambo sa programa disenyo mao ang mas komplikado, sa pagpalambo sa paghingalan, pagtinagsa sa pagpili sa lisud nga sa pagpalambo sa paghingalan, pagtinagsa makadaot sa gahum suplay sa kinatibuk-ang switching speed.

2, ang kinatibuk-ang katulin sa pagbalhin sa suplay sa kuryente

Ang MOSFET nga apektado sa temperatura gamay, ang power supply switching output power makasiguro nga labaw pa sa 150KHz; Ang gahum sa kristal nga transistor adunay gamay ra kaayo nga libre nga oras sa pagtipig sa bayad nga limitahan ang katulin sa pagbalhin sa suplay sa kuryente, apan ang gahum niini sa kasagaran dili molapas sa 50KHz.

3, Luwas nga nagtrabaho nga lugar

Gahum MOSFET walay ikaduha nga basehan, ug ang luwas nga lugar sa pagtrabaho kay lapad; Ang gahum sa kristal nga transistor adunay ikaduha nga basehan nga kahimtang, nga naglimite sa luwas nga lugar sa pagtrabaho.

4, Kinahanglanon sa pagtrabaho sa konduktor sa kuryente nga nagtrabaho nga boltahe

GahumMOSFET iya sa taas nga boltahe nga matang, ang pagpadagan sa pagtrabaho gikinahanglan nga nagtrabaho boltahe mas taas, adunay usa ka positibo nga temperatura coefficient; gahum kristal transistor bisan unsa pa ka daghan nga salapi ang makasugakod sa gikinahanglan nga pagtrabaho nga boltahe sa pagtrabaho, ang konduktor sa konduktor sa pagtrabaho nga gikinahanglan nga nagtrabaho nga boltahe mas ubos, ug adunay negatibo nga koepisyent sa temperatura.

5, ang pinakataas nga dagan sa kuryente

Power MOSFET sa switching power supply sirkito gahum supply sirkito sirkito suplay sa kuryente sirkito ingon sa usa ka power supply switch, sa operasyon ug lig-on nga trabaho sa tunga-tunga, ang maximum nga dagan sa kuryente mas ubos; ug ang gahum nga kristal nga transistor sa operasyon ug lig-on nga trabaho sa tunga, ang labing taas nga dagan sa kuryente mas taas.

6. Gasto sa produkto

Ang gasto sa gahum MOSFET gamay nga mas taas; gamay ra ang gasto sa power crystal triode.

7, Epekto sa penetration

Power MOSFET walay penetration epekto; gahum kristal transistor adunay penetration epekto.

8, Pagbalhin pagkawala

Ang pagkawala sa pagbalhin sa MOSFET dili maayo; Ang pagkawala sa pagbalhin sa gahum sa kristal nga transistor medyo dako.

Dugang pa, ang kadaghanan sa gahum MOSFET integrated shock absorbing diode, samtang ang bipolar power crystal transistor halos walay integrated shock absorbing diode.MOSFET shock absorbing diode mahimo usab nga usa ka universal magnet alang sa switching power supply circuits magnet coils sa paghatag sa power factor angle sa power flow safety channel. Field epekto tube sa shock absorbing diode sa tibuok proseso sa pagpalong sa kinatibuk-ang diode ingon nga ang paglungtad sa reverse recovery kasamtangan nga dagan, sa niini nga panahon ang diode sa usa ka kamot sa pagkuha sa habwa, tinubdan poste positibo nga tunga-tunga sa usa ka dako nga. pagtaas sa mga kinahanglanon sa trabaho sa operating boltahe, sa laing bahin, ug ang reverse recovery kasamtangan nga dagan.