Giunsa Pagtino ang mga nMOSFET ug pMOSFET

I. Sumala sa direksyon sa kasamtangan nga dagan

NMOSFET:Sa diha nga ang kasamtangan nga nagaagay gikan sa tinubdan (S) ngadto sa drain (D), ang MOSFET mao ang usa ka NMOSFET Sa usa ka NMOSFET, ang tinubdan ug drain mao ang n-type semiconductors ug ang ganghaan usa ka p-type semiconductor. Kung ang boltahe sa ganghaan positibo nga may kalabotan sa gigikanan, usa ka n-type nga conducting channel ang naporma sa nawong sa semiconductor, nga gitugotan ang mga electron nga modagayday gikan sa gigikanan hangtod sa kanal.

PMOSFET:Ang MOSFET usa ka PMOSFET kung ang kasamtangan nga nagaagay gikan sa drain (D) ngadto sa tinubdan (S) Sa usa ka PMOSFET, ang tinubdan ug drain kay p-type semiconductors ug ang gate kay n-type semiconductor. Kung negatibo ang boltahe sa ganghaan bahin sa gigikanan, usa ka p-type conducting channel ang naporma sa nawong sa semiconductor, nga gitugotan ang mga lungag nga modagayday gikan sa gigikanan hangtod sa kanal (timan-i nga sa naandan nga paghulagway giingon gihapon namon nga ang kasamtangan gikan sa D hangtod sa S, apan kini sa tinuud ang direksyon diin ang mga lungag molihok).

*** Gihubad gamit ang www.DeepL.com/Translator (libre nga bersyon) ***

II. Sumala sa direksyon sa parasitic diode

NMOSFET:Kung ang parasitic diode nagpunting gikan sa gigikanan (S) hangtod sa pag-agas (D), kini usa ka NMOSFET. Ang parasitic diode usa ka intrinsic nga istruktura sa sulod sa MOSFET, ug ang direksyon niini makatabang kanato sa pagtino sa klase sa MOSFET.

PMOSFET:Ang parasitic diode usa ka PMOSFET kung kini nagpunting gikan sa drain (D) ngadto sa tinubdan (S).

III. Sumala sa relasyon tali sa control electrode boltahe ug electrical conductivity

NMOSFET:Ang usa ka NMOSFET nagpahigayon kung ang boltahe sa ganghaan positibo bahin sa boltahe sa gigikanan. Kini tungod kay ang usa ka positibo nga boltahe sa ganghaan nagmugna sa mga n-type nga nagpahigayon nga mga kanal sa ibabaw sa semiconductor, nga nagtugot sa mga electron nga modagayday.

PMOSFET:Ang usa ka PMOSFET nagpahigayon kung ang boltahe sa ganghaan negatibo bahin sa boltahe sa gigikanan. Ang usa ka negatibo nga boltahe sa ganghaan nagmugna sa usa ka p-type nga nagpahigayon nga channel sa semiconductor nga nawong, nga nagtugot sa mga lungag sa pag-agos (o karon nga modagayday gikan sa D hangtod sa S).

IV. Uban pang auxiliary nga mga paagi sa paghukom

Tan-awa ang mga marka sa aparato:Sa pipila ka mga MOSFET, mahimong adunay marka o numero sa modelo nga nagpaila sa tipo niini, ug pinaagi sa pagkonsulta sa may kalabotan nga datasheet, makumpirma nimo kung kini usa ka NMOSFET o usa ka PMOSFET.

Paggamit sa mga instrumento sa pagsulay:Ang pagsukod sa resistensya sa pin sa usa ka MOSFET o ang pagpadagan niini sa lainlaing mga boltahe pinaagi sa mga instrumento sa pagsulay sama sa mga multimeter makatabang usab sa pagtino sa tipo niini.

Sa katingbanan, ang paghukom sa mga NMOSFET ug PMOSFET mahimo nga himuon sa panguna pinaagi sa direksyon sa pag-agos karon, direksyon sa parasitic diode, ang relasyon tali sa boltahe sa control electrode ug conductivity, ingon man pagsusi sa pagmarka sa aparato ug paggamit sa mga instrumento sa pagsulay. Sa praktikal nga mga aplikasyon, ang angay nga paagi sa paghukom mahimong mapili sumala sa piho nga sitwasyon.