WST4041 P-Channel -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WST4041

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

ID:-6A

Channel:P-Channel

Pakete:SOT-23-3L

Ting-init sa Produkto:Ang WST4041 MOSFET adunay boltahe nga -40V, kasamtangan nga -6A, pagsukol sa 30mΩ, P-Channel, ug SOT-23-3L nga pakete.

Aplikasyon:Mga elektronikong sigarilyo, controller, digital nga mga produkto, gagmay nga appliances, consumer electronics.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WST4041 usa ka gamhanan nga P-channel MOSFET nga gidisenyo alang sa paggamit sa mga synchronous buck converters. Kini adunay taas nga densidad sa cell nga nagtugot alang sa maayo kaayo nga RDSON ug bayad sa ganghaan. Ang WST4041 nagtagbo sa mga kinahanglanon alang sa RoHS ug Green Product nga mga sumbanan, ug kini adunay usa ka 100% nga garantiya sa EAS alang sa kasaligan nga pasundayag.

Mga bahin

Ang Advanced Trench Technology adunay taas nga densidad sa selula ug super ubos nga bayad sa ganghaan, nga makapamenos sa epekto sa CdV/dt. Ang among mga aparato adunay usa ka 100% nga garantiya sa EAS ug mga kapilian nga mahigalaon sa kalikopan.

Mga aplikasyon

High-frequency point-of-load synchronous buck converter, networking DC-DC power system, load switch, e-cigarettes, controllers, digital device, gagmay nga mga gamit sa balay, ug consumer electronics.

katugbang nga materyal nga numero

AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A, dintek DTS4501, ncepower NCE40P05Y,

Importante nga mga parameter

Simbolo	Parameter	Rating	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	-40	V
VGS	Gate-Source Boltahe	±20	V
ID@TC=25℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ -10V1	-6.0	A
ID@TC=100 ℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	Pulsed Drain Current2	-24	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	12	mJ
IAS	Avalanche Current	-7	A
PD@TC=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4	1.4	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 150	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	-55 ngadto sa 150	℃

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Unit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=-1mA	---	-0.03	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V , ID=-3A	---	30	40	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4.5V , ID=-1A	---	40	58	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.8	-1.2	-2.2	V
△VGS(ika)	VGS(th) Temperatura Coefficient	VGS=VDS , ID =-250uA	---	4.56	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-28V , VGS=0V , TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-28V , VGS=0V , TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Pagpasa sa Transconductance	VDS=-5V , ID=-3A	---	15	---	S
Rg	Pagsukol sa Ganghaan	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	3.8	---	Ω
Qg	Kinatibuk-ang Gate Charge (-4.5V)	VDS=-18V , VGS=-10V , ID=-4A	---	9.5	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	1.7	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	2.0	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A , RL=15Ω	---	8	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	10	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	18	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	8	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	420	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	77	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	55	---