WST2088A N-channel 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WST2088A

BVDSS:20V

RDSON:10.7mΩ

ID:7.5A

Channel:N-channel

Pakete:SOT-23-3L

Ting-init sa Produkto:Ang boltahe sa WST2088A MOSFET mao ang 20V, ang kasamtangan mao ang 7.5A, ang pagsukol mao ang 10.7mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang SOT-23-3L.

Aplikasyon:Mga elektronikong sigarilyo, controller, digital nga mga produkto, gagmay nga mga gamit sa panimalay, consumer electronics, ug uban pa.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WST2088A mao ang pinakataas nga performance trench N-ch MOSFETs nga adunay grabe nga taas nga densidad sa cell, nga naghatag og maayo kaayo nga RDSON ug gate charge alang sa kadaghanan sa gagmay nga power switching ug load switch nga mga aplikasyon.Ang WST2088A nagtagbo sa RoHS ug Green Product nga kinahanglanon nga adunay bug-os nga kasaligan nga pag-andar nga gi-aprubahan.

Mga bahin

Advanced nga high cell density Trench nga teknolohiya, Super Low Gate Charge, Maayo kaayo nga Cdv/dt effect nga pagkunhod, Green Device Anaa

Mga aplikasyon

Power switching application, Hard Switched ug High Frequency Circuits, Uninterruptible Power Supply, Electronic cigarettes, controllers, digital products, small household appliances, consumer electronics, etc.

katugbang nga materyal nga numero

AO AO3416, SA NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN, ug uban pa.

Importante nga mga parameter

Mga Kinaiya sa Elektrisidad (TJ=25 ℃, gawas kung gipahibalo)

Simbolo	Parameter	Rating	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	20	V
VGS	Gate-Source Boltahe	± 12	V
ID@Tc=25℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 4.5V	7.5	A
ID@Tc=70 ℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 4.5V	4.5	A
IDP	Pulsed Drain Current	24	A
PD@TA=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum	1.25	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 150	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	-55 ngadto sa 150	℃

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Yunit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=1mA	---	0.018	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V , ID=6A	---	10.7	14	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=2.5V , ID=5A	---	12.8	17
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =250uA	0.4	0.63	1.2	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V , VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±12V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Kinatibuk-ang Bayad sa Gate	VDS=15V , VGS=4.5V , ID=6A	---	10	---	nC
Qgs	Bayad sa Gate-Source		---	1.6	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.4	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDS=10V , VGS=4.5V ,RG=3.3Ω ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	15	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	33	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	13	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	590	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	125	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	90	---