WST2088 N-channel 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WST2088

BVDSS:20V

RDSON:8mΩ

ID:8.8A

Channel:N-channel

Pakete:SOT-23-3L

Ting-init sa Produkto:Ang boltahe sa WST2088 MOSFET mao ang 20V, ang kasamtangan mao ang 8.8A, ang pagsukol mao ang 8mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang SOT-23-3L.

Aplikasyon:Mga elektronikong sigarilyo, controller, digital device, gagmay nga mga gamit sa balay, ug consumer electronics.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WST2088 MOSFETs mao ang labing abante nga N-channel transistors sa merkado.Sila adunay usa ka talagsaon nga taas nga densidad sa selula, nga moresulta sa maayo kaayo nga RDSON ug gate charge.Kini nga mga MOSFET perpekto alang sa gamay nga pagbalhin sa kuryente ug mga aplikasyon sa switch sa pagkarga.Nakab-ot nila ang mga kinahanglanon sa RoHS ug Green Product ug hingpit nga nasulayan alang sa kasaligan.

Mga bahin

Ang advanced Trench nga teknolohiya nga adunay taas nga densidad sa cell, Super Low Gate Charge, ug maayo kaayo nga pagkunhod sa epekto sa Cdv/dt, nga naghimo niini nga Green Device.

Mga aplikasyon

Mga aplikasyon sa kuryente, mga sirkito nga adunay lisud nga pagbalhin ug taas nga frequency, walay hunong nga mga suplay sa kuryente, e-sigarilyo, mga controller, elektronik nga mga himan, gagmay nga mga gamit sa balay, ug mga elektronik nga consumer.

katugbang nga materyal nga numero

AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214, ug uban pa.

Importante nga mga parameter

Simbolo	Parameter	Rating	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	20	V
VGS	Gate-Source Boltahe	± 12	V
ID@Tc=25℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 4.5V	8.8	A
ID@Tc=70 ℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 4.5V	6.2	A
IDP	Pulsed Drain Current	40	A
PD@TA=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum	1.5	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 150	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	-55 ngadto sa 150	℃

Mga Kinaiya sa Elektrisidad (TJ=25 ℃, gawas kung gipahibalo)

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Yunit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=1mA	---	0.018	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=6A	---	8	13	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=2.5V, ID=5A	---	10	19	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =250uA	0.5	---	1.3	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V , VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±12V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Kinatibuk-ang Bayad sa Gate	VDS=15V , VGS=4.5V , ID=6A	---	16	---	nC
Qgs	Bayad sa Gate-Source		---	3	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	4.5	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDS=10V , VGS=4.5V ,RG=3.3Ω ID=1A	---	10	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	13	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	28	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	7	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	1400	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	170	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	135	---