WST2078 N&P Channel 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

ID:3.8A/-4.5A

Channel:N&P Channel

Pakete:SOT-23-6L

Ting-init sa Produkto:Ang WST2078 MOSFET adunay mga rating sa boltahe nga 20V ug -20V.Makadumala kini sa mga sulog nga 3.8A ug -4.5A, ug adunay mga kantidad sa pagsukol nga 45mΩ ug 65mΩ.Ang MOSFET adunay pareho nga kapabilidad sa N&P Channel ug moabut sa usa ka pakete nga SOT-23-6L.

Aplikasyon:E-cigarettes, controllers, digital nga mga produkto, appliances, ug consumer electronics.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WST2078 mao ang labing kaayo nga MOSFET alang sa gagmay nga mga switch sa kuryente ug mga aplikasyon sa pagkarga.Kini adunay taas nga densidad sa cell nga naghatag maayo kaayo nga RDSON ug bayad sa ganghaan.Nagtagbo kini sa mga kinahanglanon sa RoHS ug Green Product ug gi-aprobahan alang sa hingpit nga kasaligan sa function.

Mga bahin

Advanced nga teknolohiya nga adunay taas nga cell density trenches, hilabihan ka ubos nga bayad sa ganghaan, ug maayo kaayo nga pagkunhod sa mga epekto sa Cdv/dt.Kini nga device mahigalaon usab sa kinaiyahan.

Mga aplikasyon

Ang high-frequency point-of-load nga kasabay nga gamay nga switch sa kuryente perpekto para sa paggamit sa MB/NB/UMPC/VGA, networking DC-DC power systems, load switch, e-cigarettes, controllers, digital products, small household appliances, ug consumer elektroniko.

katugbang nga materyal nga numero

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Importante nga mga parameter

Simbolo	Parameter	Rating		Mga yunit
Simbolo	Parameter	N-Channel	P-Channel	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	20	-20	V
VGS	Gate-Source Boltahe	± 12	± 12	V
ID@Tc=25℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ 4.5V1	3.8	-4.5	A
ID@Tc=70 ℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Pulsed Drain Current2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum3	1.4	1.4	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 150	-55 ngadto sa 150	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	-55 ngadto sa 150	-55 ngadto sa 150	℃

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Yunit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=1mA	---	0.024	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V , ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2.5V , ID=1A	---	60	80
		VGS=1.8V , ID=1A	---	85	120
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =250uA	0.5	0.7	1	V
△VGS(ika)	VGS(th) Temperatura Coefficient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-2.51	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V , VGS=0V , TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V , VGS=0V , TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±8V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Pagpasa sa Transconductance	VDS=5V , ID=1A	---	8	---	S
Rg	Pagsukol sa Ganghaan	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Kinatibuk-ang Gate Charge (4.5V)	VDS=10V , VGS=10V , ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Bayad sa Gate-Source		---	1.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	2.1	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=10V , VGEN=4.5V , RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	13	23
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	15	28
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	3	5.5
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	51	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	52	---