WST2011 Dual P-Channel -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Kinatibuk-ang Deskripsyon
Ang WST2011 MOSFET mao ang pinaka-abante nga P-ch transistors nga anaa, nga adunay dili hitupngan nga cell density. Nagtanyag sila og talagsaon nga pasundayag, nga adunay ubos nga RDSON ug bayad sa ganghaan, nga naghimo kanila nga sulundon alang sa gamay nga switch sa kuryente ug mga aplikasyon sa pag-load sa switch. Dugang pa, ang WST2011 nagtagbo sa mga sumbanan sa RoHS ug Green Product ug gipasigarbo ang hingpit nga pag-uyon sa kasaligan nga pag-andar.
Mga bahin
Ang advanced Trench nga teknolohiya nagtugot sa mas taas nga densidad sa selula, nga miresulta sa usa ka Green Device nga adunay Super Low Gate Charge ug maayo kaayo nga CdV/dt effect nga pagkunhod.
Mga aplikasyon
Ang high frequency point-of-load nga synchronous nga gamay nga power switching angayan nga gamiton sa MB/NB/UMPC/VGA, networking DC-DC power systems, load switch, e-cigarettes, controllers, digital products, small household appliances, ug consumer electronics .
katugbang nga materyal nga numero
SA FDC634P,VISHAY Si3443DDV,NXP PMDT670UPE,
Importante nga mga parameter
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit | |
| 10s | Lig-on nga Estado | |||
| VDS | Drain-Source Boltahe | -20 | V | |
| VGS | Gate-Source Boltahe | ± 12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ -4.5V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70 ℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ -4.5V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70 ℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum3 | 1.2 | 0.9 | W |
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ | |
| TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ | |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V , ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS Temperatura Coefficient | Reference sa 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0.011 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-4.5V , ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2.5V , ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS , ID =-250uA | -0.5 | -1.0 | -1.5 | V |
| △VGS(ika) | VGS(th) Temperatura Coefficient | --- | 3.95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=-16V , VGS=0V , TJ=25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V , VGS=0V , TJ=55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±12V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Pagpasa sa Transconductance | VDS=-5V , ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (-4.5V) | VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=-15V , VGS=-4.5V , RG=3.3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 9.3 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Kapasidad sa Input | VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 95 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 68 | --- |
