WSR200N08 N-channel 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WSR200N08

BVDSS:80V

RDSON:2.9mΩ

ID:200A

Channel:N-channel

Pakete:SA-220-3L

Ting-init sa Produkto:Ang WSR200N08 MOSFET makadumala hangtod sa 80 volts ug 200 amps nga adunay resistensya nga 2.9 milliohms.Kini usa ka aparato nga N-channel ug moabut sa usa ka TO-220-3L nga pakete.

Aplikasyon:Mga elektronikong sigarilyo, wireless charger, motor, sistema sa pagdumala sa baterya, backup nga tinubdan sa kuryente, unmanned aerial vehicles, healthcare device, electric vehicle charging equipment, control units, 3D printing machines, electronic device, gagmay nga gamit sa balay, ug consumer electronics.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WSR200N08 mao ang pinakataas nga performance trench N-Ch MOSFET nga adunay grabe nga taas nga densidad sa cell, nga naghatag maayo kaayo nga RDSON ug gate charge alang sa kadaghanan sa mga synchronous buck converter nga mga aplikasyon.Ang WSR200N08 nakab-ot ang RoHS ug Green Product nga kinahanglanon, 100% EAS nga gigarantiyahan nga adunay bug-os nga kasaligan nga pag-andar nga gi-aprubahan.

Mga bahin

Advanced nga high cell density Trench nga teknolohiya, Super Low Gate Charge, Maayo nga CdV/dt effect nga pagkunhod, 100% EAS Garantiya, Green Device Anaa.

Mga aplikasyon

Switching application, Power Management for Inverter Systems, Electronic cigarettes, wireless charging, motors, BMS, emergency power supplies, drones, medical, car charging, controllers, 3D printers, digital products, small household appliances, consumer electronics, etc.

katugbang nga materyal nga numero

AO AOT480L, SA FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, ug uban pa.

Importante nga mga parameter

Mga Kinaiya sa Elektrisidad (TJ=25 ℃, gawas kung gipahibalo)

Simbolo	Parameter	Rating	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	80	V
VGS	Gate-Source Boltahe	± 25	V
ID@TC=25℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100 ℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Pulsed Drain Current2,TC=25°C	790	A
EAS	Avalanche Energy, Single pulse, L=0.5mH	1496	mJ
IAS	Avalanche Current, Single pulse, L=0.5mH	200	A
PD@TC=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4	345	W
PD@TC=100 ℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4	173	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 175	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	175	℃

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Yunit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V,ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(ika)	VGS(th) Temperatura Coefficient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=80V , VGS=0V , TJ=55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±25V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Pagsukol sa Ganghaan	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Kinatibuk-ang Gate Charge (10V)	VDS=80V , VGS=10V , ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Bayad sa Gate-Source		---	31	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	75	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=50V , VGS=10V ,RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	18	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	42	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	54	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	8154	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	1029	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	650	---