WSP6067A N&P-Channel 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WSP6067A

BVDSS:60V/-60V

RDSON:38mΩ/80mΩ

ID:7A/-5A

Channel:N&P-Channel

Pakete:SOP-8

Ting-init sa Produkto:Ang WSP6067A MOSFET adunay boltahe nga range nga 60 volts nga positibo ug negatibo, usa ka kasamtangang range nga 7 amps positibo ug 5 amps negatibo, usa ka resistance range nga 38 milliohms ug 80 milliohms, usa ka N&P-Channel, ug giputos sa SOP-8.

Aplikasyon:Mga e-sigarilyo, wireless charger, makina, drone, healthcare, car charger, kontrol, digital device, gagmay nga appliances, ug electronics para sa mga konsumidor.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WSP6067A MOSFET mao ang pinaka-abante alang sa trench P-ch nga teknolohiya, nga adunay taas kaayo nga densidad sa mga selula. Naghatag sila og maayo kaayo nga pasundayag sa mga termino sa RDSON ug bayad sa ganghaan, nga angay alang sa kadaghanan nga mga dungan nga mga converter sa buck. Kini nga mga MOSFET nakab-ot ang RoHS ug Green Product nga pamatasan, nga adunay 100% nga EAS nga naggarantiya sa hingpit nga kasaligan sa pag-andar.

Mga bahin

Ang advanced nga teknolohiya makahimo sa high-density cell trench formation, nga miresulta sa super low gate charge ug superior CdV/dt effect decay. Ang among mga aparato adunay 100% nga EAS nga garantiya ug mahigalaon sa kalikopan.

Mga aplikasyon

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-cigarettes, wireless charging, mga motor, drone, medical equipment, car chargers, controllers, electronic device, small home appliances, ug consumer electronics .

katugbang nga materyal nga numero

AOS

Importante nga mga parameter

Simbolo	Parameter	Rating		Mga yunit
Simbolo	Parameter	N-Channel	P-Channel	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	60	-60	V
VGS	Gate-Source Boltahe	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ 10V1	7.0	-5.0	A
ID@TC=100 ℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ 10V1	4.0	-2.5	A
IDM	Pulsed Drain Current2	28	-20	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	22	28	mJ
IAS	Avalanche Current	21	-24	A
PD@TC=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4	2.0	2.0	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 150	-55 ngadto sa 150	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	-55 ngadto sa 150	-55 ngadto sa 150	℃

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Unit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=1mA	---	0.063	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V , ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V , ID=4A	---	55	75	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =250uA	1	2	3	V
△VGS(ika)	VGS(th) Temperatura Coefficient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Pagpasa sa Transconductance	VDS=5V , ID=4A	---	28	---	S
Rg	Pagsukol sa Ganghaan	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Kinatibuk-ang Gate Charge (4.5V)	VDS=48V , VGS=4.5V , ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	2.6	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	4.1	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=30V , VGS=10V , RG=3.3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	34	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	23	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	6	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	1027	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	65	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	45	---