WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

mga produkto

WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:


  • Numero sa Modelo:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDSON:13.5mΩ
  • ID:9.8A
  • Channel:Dual N-Channel
  • Pakete:SOP-8
  • Ting-init sa Produkto:Ang boltahe sa WSP4888 MOSFET mao ang 30V, ang kasamtangan mao ang 9.8A, ang resistensya mao ang 13.5mΩ, ang channel mao ang Dual N-Channel, ug ang package mao ang SOP-8.
  • Aplikasyon:Mga e-sigarilyo, wireless charger, makina, drone, healthcare, car charger, kontrol, digital device, gagmay nga appliances, ug electronics para sa mga konsumidor.
  • Detalye sa Produkto

    Aplikasyon

    Mga Tag sa Produkto

    Kinatibuk-ang Deskripsyon

    Ang WSP4888 kay usa ka high-performing transistor nga adunay dasok nga cell structure, maayo nga gamiton sa synchronous buck converters.Gipanghambog niini ang maayo kaayo nga RDSON ug mga bayad sa ganghaan, nga naghimo niini nga usa ka panguna nga kapilian alang sa kini nga mga aplikasyon.Dugang pa, ang WSP4888 nagtagbo sa mga kinahanglanon sa RoHS ug Green Product ug adunay usa ka 100% nga garantiya sa EAS alang sa kasaligan nga function.

    Mga bahin

    Ang Advanced Trench Technology adunay taas nga densidad sa selula ug super ubos nga bayad sa ganghaan, nga makapamenos sa epekto sa CdV/dt.Ang among mga aparato adunay usa ka 100% nga garantiya sa EAS ug mga kapilian nga mahigalaon sa kalikopan.

    Ang among mga MOSFET moagi sa higpit nga mga lakang sa pagkontrol sa kalidad aron masiguro nga nakab-ot nila ang labing taas nga mga sumbanan sa industriya.Ang matag yunit hingpit nga gisulayan alang sa pasundayag, kalig-on ug kasaligan, pagsiguro sa taas nga kinabuhi sa produkto.Ang gahi nga disenyo niini makapahimo niini nga makasugakod sa grabeng mga kondisyon sa pagtrabaho, nga nagsiguro sa walay hunong nga pagpaandar sa kagamitan.

    Competitive pricing: Bisan pa sa ilang superyor nga kalidad, ang among MOSFETs taas kaayo og competitive nga presyo, nga naghatag og dakong pagdaginot sa gasto nga walay pagkompromiso sa performance.Kami nagtuo nga ang tanan nga mga konsumedor kinahanglan adunay access sa mga de-kalidad nga produkto, ug ang among estratehiya sa pagpresyo nagpakita sa kini nga pasalig.

    Lapad nga pagkaangay: Ang among mga MOSFET nahiuyon sa lainlaing mga sistema sa elektroniko, nga naghimo kanila nga daghang kapilian alang sa mga tiggama ug mga end-user.Naghiusa kini nga hapsay sa mga naglungtad nga sistema, nga nagpauswag sa kinatibuk-ang pasundayag nga wala magkinahanglan daghang mga pagbag-o sa disenyo.

    Mga aplikasyon

    High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter para gamiton sa MB/NB/UMPC/VGA system, Networking DC-DC Power Systems, Load Switches, E-cigarettes, Wireless Chargers, Motors, Drones, Medical equipment, Car Chargers, Controllers , Mga Produkto sa Digital, Mga Gagmay nga Appliances sa Panimalay, ug Consumer Electronics.

    katugbang nga materyal nga numero

    AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H

    Importante nga mga parameter

    Simbolo Parameter Rating Mga yunit
    VDS Drain-Source Boltahe 30 V
    VGS Gate-Source Boltahe ±20 V
    ID@TC=25℃ Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70 ℃ Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM Pulsed Drain Current2 45 A
    EAS Single Pulse Avalanche Energy3 25 mJ
    IAS Avalanche Current 12 A
    PD@TA=25℃ Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4 2.0 W
    TSTG Sakup sa Temperatura sa Pagtipig -55 ngadto sa 150
    TJ Sakup sa Temperatura sa Operating Junction -55 ngadto sa 150
    Simbolo Parameter Mga kahimtang Min. Typ. Max. Yunit
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V , ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS Temperatura Coefficient Reference sa 25 ℃, ID=1mA --- 0.034 --- V/℃
    RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V , ID=8.5A --- 13.5 18
           
        VGS=4.5V , ID=5A --- 18 25  
    VGS(th) Gate Threshold Boltahe VGS=VDS , ID =250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(ika) VGS(th) Temperatura Coefficient   --- -5.8 --- mV/℃
    IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=24V , VGS=0V , TJ=25 ℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V , VGS=0V , TJ=55 ℃ --- --- 5  
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Pagpasa sa Transconductance VDS=5V , ID=8A --- 9 --- S
    Rg Pagsukol sa Ganghaan VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Kinatibuk-ang Gate Charge (4.5V) VDS=15V , VGS=4.5V , ID=8.8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Bayad sa Gate-Source --- 1.5 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 2.5 ---
    Td(on) I-on ang Oras sa Paglangan VDD=15V , VGEN=10V , RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr Panahon sa Pagbangon --- 9.2 19
    Td(wala) I-off ang Oras sa Paglangan --- 19 34
    Tf Panahon sa Pagkapukan --- 4.2 8
    Ciss Kapasidad sa Input VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 590 701 pF
    Coss Kapasidad sa Output --- 98 112
    Crss Reverse Transfer Capacitance --- 59 91

  • Kaniadto:
  • Sunod:

  • Isulat ang imong mensahe dinhi ug ipadala kini kanamo