WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WSP4447

BVDSS:-40V

RDSON:13mΩ

ID:-11A

Channel:P-Channel

Pakete:SOP-8

Ting-init sa Produkto:Ang boltahe sa WSP4447 MOSFET mao ang -40V, ang kasamtangan mao ang -11A, ang resistensya mao ang 13mΩ, ang channel mao ang P-Channel, ug ang package mao ang SOP-8.

Aplikasyon:Mga elektronikong sigarilyo, wireless charger, motor, drone, medical device, auto charger, controller, digital nga produkto, gagmay nga appliances, ug consumer electronics.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WSP4447 usa ka top-performing MOSFET nga naggamit sa trench technology ug adunay taas nga cell density.Nagtanyag kini og maayo kaayo nga RDSON ug bayad sa ganghaan, nga naghimo niini nga angay alang sa paggamit sa kadaghanan nga mga synchronous buck converter nga aplikasyon.Ang WSP4447 nagtagbo sa mga sumbanan sa RoHS ug Green Product, ug adunay 100% nga garantiya sa EAS alang sa hingpit nga kasaligan.

Mga bahin

Ang advanced Trench nga teknolohiya nagtugot sa mas taas nga densidad sa selula, nga miresulta sa usa ka Green Device nga adunay Super Low Gate Charge ug maayo kaayo nga CdV/dt effect nga pagkunhod.

Mga aplikasyon

Taas nga Frequency Converter para sa Nagkalainlain nga Elektroniko
Kini nga converter gidesinyo aron epektibong maka-power sa usa ka halapad nga mga device, lakip na ang mga laptop, gaming consoles, networking equipment, e-cigarettes, wireless chargers, motors, drones, medical devices, car chargers, controllers, digital products, small home appliances, ug consumer. elektroniko.

katugbang nga materyal nga numero

AOS AO4425 AO4485,ON FDS4675,VISHAY Si4401FDY,ST STS10P4LLF6,TOSHIBA TPC8133,PANJIT PJL9421，Sinopower SM4403PSK，RUICHIPS RU40L10H.

Importante nga mga parameter

Simbolo	Parameter	Rating	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	-40	V
VGS	Gate-Source Boltahe	±20	V
ID@TA=25℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70 ℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ -10V1	-9.0	A
IDM a	300µs Pulsed Drain Current (VGS=-10V)	-44	A
EAS b	Enerhiya sa Avalanche, Usa ka pulso (L=0.1mH)	54	mJ
IAS b	Avalanche Current, Usa ka pulso (L=0.1mH)	-33	A
PD@TA=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4	2.0	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 150	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	-55 ngadto sa 150	℃

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Yunit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=-1mA	---	-0.018	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V , ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=-4.5V , ID=-5A	---	18	26
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.4	-1.9	-2.4	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(ika)	VGS(th) Temperatura Coefficient		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-32V , VGS=0V , TJ=25 ℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current					uA
		VDS=-32V , VGS=0V , TJ=55 ℃	---	---	-5
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Pagpasa sa Transconductance	VDS=-5V , ID=-10A	---	18	---	S
Qg	Kinatibuk-ang Gate Charge (-4.5V)	VDS=-20V , VGS=-10V , ID=-11A	---	32	---	nC
Qgs	Bayad sa Gate-Source		---	5.2	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	8	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=-20V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	12	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	41	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	22	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	1500	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	235	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	180	---