WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Kinatibuk-ang Deskripsyon
Ang WSP4099 usa ka kusgan nga trench nga P-ch MOSFET nga adunay taas nga density sa cell.Naghatag kini og maayo kaayo nga RDSON ug bayad sa ganghaan, nga naghimo niini nga angay alang sa kadaghanan nga mga synchronous buck converter nga aplikasyon.Nagtagbo kini sa mga sumbanan sa RoHS ug GreenProduct ug adunay 100% nga garantiya sa EAS nga adunay bug-os nga pag-uyon sa kasaligan nga function.
Mga bahin
Ang Advanced Trench Technology nga adunay taas nga cell density, ultra-low gate charge, maayo kaayo nga CdV/dt effect decay ug usa ka 100% EAS nga garantiya ang tanan nga mga bahin sa among berde nga mga aparato nga dali nga magamit.
Mga aplikasyon
High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter para sa MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-cigarettes, wireless charging, motors, drones, medical care, car chargers, controllers, digital products , gagmay nga mga gamit sa balay, ug consumer electronics.
katugbang nga materyal nga numero
SA FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A，Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.
Importante nga mga parameter
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | -40 | V |
| VGS | Gate-Source Boltahe | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Padayon nga Pag-agos sa Current, -VGS @ -10V1 | -6.5 | A |
| ID@TC=100 ℃ | Padayon nga Pag-agos sa Current, -VGS @ -10V1 | -4.5 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current2 | -22 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 25 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | -10 | A |
| PD@TC=25℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4 | 2.0 | W |
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Yunit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V , ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS Temperatura Coefficient | Reference sa 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0.02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-10V , ID=-6.5A | --- | 30 | 38 | mΩ |
| VGS=-4.5V , ID=-4.5A | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS , ID =-250uA | -1.5 | -2.0 | -2.5 | V |
| △VGS(ika) | VGS(th) Temperatura Coefficient | --- | 3.72 | --- | V/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=-32V , VGS=0V , TJ=25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-32V , VGS=0V , TJ=55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Pagpasa sa Transconductance | VDS=-5V , ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (-4.5V) | VDS=-20V , VGS=-4.5V , ID=-6.5A | --- | 7.5 | --- | nC |
| Qgs | Bayad sa Gate-Source | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3.5 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 7 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 31 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 17 | --- | ||
| Ciss | Kapasidad sa Input | VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 72 | --- |
