WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WSP4099

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

ID:-6.5A

Channel:Dobleng P-Channel

Pakete:SOP-8

Ting-init sa Produkto:Ang WSP4099 MOSFET adunay boltahe nga -40V, usa ka kasamtangan nga -6.5A, usa ka pagsukol sa 30mΩ, usa ka Dual P-Channel, ug moabut sa usa ka SOP-8 nga pakete.

Aplikasyon:Mga elektronikong sigarilyo, wireless charging, motor, drone, medikal, auto charger, controller, digital nga mga produkto, gagmay nga appliances, consumer electronics.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WSP4099 usa ka kusgan nga trench nga P-ch MOSFET nga adunay taas nga density sa cell. Naghatag kini og maayo kaayo nga RDSON ug bayad sa ganghaan, nga naghimo niini nga angay alang sa kadaghanan nga mga synchronous buck converter nga aplikasyon. Nagtagbo kini sa mga sumbanan sa RoHS ug GreenProduct ug adunay 100% nga garantiya sa EAS nga adunay bug-os nga pag-uyon sa kasaligan nga function.

Mga bahin

Ang Advanced Trench Technology nga adunay taas nga cell density, ultra-low gate charge, maayo kaayo nga CdV/dt effect decay ug usa ka 100% EAS nga garantiya ang tanan nga mga bahin sa among berde nga mga aparato nga dali nga magamit.

Mga aplikasyon

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter para sa MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-cigarettes, wireless charging, motors, drones, medical care, car chargers, controllers, digital products , gagmay nga mga gamit sa balay, ug consumer electronics.

katugbang nga materyal nga numero

SA FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A，Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.

Importante nga mga parameter

Simbolo	Parameter	Rating	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	-40	V
VGS	Gate-Source Boltahe	±20	V
ID@TC=25℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, -VGS @ -10V1	-6.5	A
ID@TC=100 ℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, -VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	Pulsed Drain Current2	-22	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	25	mJ
IAS	Avalanche Current	-10	A
PD@TC=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4	2.0	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 150	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	-55 ngadto sa 150	℃

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Unit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=-1mA	---	-0.02	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V , ID=-6.5A	---	30	38	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4.5V , ID=-4.5A	---	46	62	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.5	-2.0	-2.5	V
△VGS(ika)	VGS(th) Temperatura Coefficient	VGS=VDS , ID =-250uA	---	3.72	---	V/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-32V , VGS=0V , TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-32V , VGS=0V , TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Pagpasa sa Transconductance	VDS=-5V , ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Kinatibuk-ang Gate Charge (-4.5V)	VDS=-20V , VGS=-4.5V , ID=-6.5A	---	7.5	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	2.4	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.5	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	7	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	31	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	17	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	668	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	98	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	72	---