WSM340N10G N-channel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1.6mΩ

ID:340A

Channel:N-channel

Pakete:TOL-8L

Ting-init sa Produkto:Ang boltahe sa WSM340N10G MOSFET mao ang 100V, ang kasamtangan mao ang 340A, ang resistensya mao ang 1.6mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang TOLL-8L.

Aplikasyon:Mga kagamitan sa medikal, drone, suplay sa kuryente sa PD, mga suplay sa kuryente sa LED, kagamitan sa industriya, ug uban pa.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WSM340N10G mao ang pinakataas nga performance trench N-Ch MOSFET nga adunay grabe nga taas nga densidad sa selula, nga naghatag og maayo kaayo nga RDSON ug gate charge alang sa kadaghanan sa mga synchronous buck converter applications. Ang WSM340N10G nakab-ot ang RoHS ug Green Product nga kinahanglanon, 100% EAS nga garantiya nga adunay bug-os nga kasaligan nga pag-andar nga gi-aprubahan.

Mga bahin

Advanced nga high cell density Trench technology, Super Low Gate Charge, Maayo kaayo nga CdV/dt effect nga pagkunhod, 100% EAS Guaranteed, Green Device Anaa.

Mga aplikasyon

Synchronous rectification, DC/DC Converter, Load switch, Medical equipment, drones, PD power supplies, LED power supplies, industrial equipment, etc.

Importante nga mga parameter

Hingpit nga Kinatas-ang Ranggo

Simbolo	Parameter	Rating	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	100	V
VGS	Gate-Source Boltahe	±20	V
ID@TC=25℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100 ℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 10V	230	A
IDM	Pulsed Drain Current..TC=25°C	1150	A
EAS	Avalanche Energy, Single pulse, L=0.5mH	1800	mJ
IAS	Avalanche Current, Single pulse, L=0.5mH	120	A
PD@TC=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum	375	W
PD@TC=100 ℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum	187	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 175	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	175	℃

Mga Kinaiya sa Elektrisidad (TJ=25 ℃, gawas kung gipahibalo)

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Unit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(ika)	VGS(th) Temperatura Coefficient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=85V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±25V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Pagsukol sa Ganghaan	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Kinatibuk-ang Gate Charge (10V)	VDS=50V , VGS=10V , ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	80	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	60	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,ID=1A.	---	88	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	50	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	228	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	322	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	6160	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	220	---