WSM340N10G N-channel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Kinatibuk-ang Deskripsyon
Ang WSM340N10G mao ang pinakataas nga performance trench N-Ch MOSFET nga adunay grabe nga taas nga densidad sa cell, nga naghatag maayo kaayo nga RDSON ug gate charge alang sa kadaghanan sa mga synchronous buck converter applications.Ang WSM340N10G nakab-ot ang RoHS ug Green Product nga kinahanglanon, 100% EAS nga garantiya nga adunay bug-os nga kasaligan nga pag-andar nga gi-aprubahan.
Mga bahin
Advanced nga high cell density Trench technology, Super Low Gate Charge, Maayo kaayo nga CdV/dt effect nga pagkunhod, 100% EAS Guaranteed, Green Device Anaa.
Mga aplikasyon
Synchronous rectification, DC/DC Converter, Load switch, Medical equipment, drones, PD power supplies, LED power supplies, industrial equipment, etc.
Importante nga mga parameter
Hingpit nga Kinatas-ang Ranggo
Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
VDS | Drain-Source Boltahe | 100 | V |
VGS | Gate-Source Boltahe | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 10V | 340 | A |
ID@TC=100 ℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 10V | 230 | A |
IDM | Pulsed Drain Current..TC=25°C | 1150 | A |
EAS | Avalanche Energy, Single pulse, L=0.5mH | 1800 | mJ |
IAS | Avalanche Current, Single pulse, L=0.5mH | 120 | A |
PD@TC=25℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum | 375 | W |
PD@TC=100 ℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum | 187 | W |
TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 175 | ℃ |
TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | 175 | ℃ |
Mga Kinaiya sa Elektrisidad (TJ=25 ℃, gawas kung gipahibalo)
Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Yunit |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V , ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS Temperatura Coefficient | Reference sa 25 ℃, ID=1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance | VGS=10V,ID=50A | --- | 1.6 | 2.3 | mΩ |
VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS , ID =250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(ika) | VGS(th) Temperatura Coefficient | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=85V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±25V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | Pagsukol sa Ganghaan | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) | VDS=50V , VGS=10V , ID=50A | --- | 260 | --- | nC |
Qgs | Bayad sa Gate-Source | --- | 80 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 60 | --- | ||
Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,ID=1A. | --- | 88 | --- | ns |
Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 50 | --- | ||
Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 228 | --- | ||
Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 322 | --- | ||
Ciss | Kapasidad sa Input | VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 13900 | --- | pF |
Coss | Kapasidad sa Output | --- | 6160 | --- | ||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 220 | --- |
Isulat ang imong mensahe dinhi ug ipadala kini kanamo