WSM320N04G N-channel 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1.2mΩ

ID:320A

Channel:N-channel

Pakete:TOL-8L

Ting-init sa Produkto:Ang WSM320N04G MOSFET adunay boltahe nga 40V, usa ka kasamtangan nga 320A, usa ka pagsukol sa 1.2mΩ, usa ka N-channel, ug usa ka TOLL-8L nga pakete.

Aplikasyon:Mga elektronikong sigarilyo, wireless charging, drone, medikal, pag-charge sa awto, controller, digital nga mga produkto, gagmay nga mga gamit sa panimalay, consumer electronics.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WSM320N04G kay usa ka high-performance MOSFET nga naggamit ug trench design ug adunay taas kaayo nga cell density. Kini adunay maayo kaayo nga RDSON ug bayad sa ganghaan ug angay alang sa kadaghanan nga mga dungan nga aplikasyon sa buck converter. Ang WSM320N04G nagtagbo sa mga kinahanglanon sa RoHS ug Green Product ug gigarantiyahan nga adunay 100% EAS ug hingpit nga kasaligan sa function.

Mga bahin

Ang advanced high cell density Trench nga teknolohiya, samtang nagpakita usab sa usa ka mubu nga bayad sa ganghaan alang sa labing maayo nga pasundayag. Dugang pa, gipasigarbo niini ang usa ka maayo kaayo nga pagkunhod sa epekto sa CdV/dt, usa ka 100% nga Garantiya sa EAS ug usa ka kapilian nga eco-friendly.

Mga aplikasyon

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Networking DC-DC Power System, Power Tool Application, Electronic cigarettes, wireless charging, drones, medical, car charging, controllers, digital products, small household appliances, ug consumer electronics.

Importante nga mga parameter

Simbolo	Parameter	Rating	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	40	V
VGS	Gate-Source Boltahe	±20	V
ID@TC=25℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100 ℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Pulsed Drain Current2	900	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	980	mJ
IAS	Avalanche Current	70	A
PD@TC=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4	250	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 175	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	-55 ngadto sa 175	℃

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Unit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=1mA	---	0.050	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V , ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V , ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(ika)	VGS(th) Temperatura Coefficient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-6.94	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=40V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=40V , VGS=0V , TJ=55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Pagpasa sa Transconductance	VDS=5V , ID=50A	---	160	---	S
Rg	Pagsukol sa Ganghaan	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Kinatibuk-ang Gate Charge (10V)	VDS=20V , VGS=10V , ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	43	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	83	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=20V , VGEN=4.5V , RG=2.7Ω, ID=1A .	---	30	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	115	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	95	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	80	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz	---	8100	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	1200	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	800	---