WSF6012 N&P-Channel 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WSF6012

BVDSS:60V/-60V

RDSON:28mΩ/75mΩ

ID:20A/-15A

Channel:N&P-Channel

Pakete:SA-252-4L

Ting-init sa Produkto:Ang WSF6012 MOSFET adunay boltahe nga range nga 60V ug -60V, makadumala sa mga sulog hangtod sa 20A ug -15A, adunay resistensya nga 28mΩ ug 75mΩ, adunay parehas nga N&P-Channel, ug giputos sa TO-252-4L.

Aplikasyon:E-cigarettes, wireless chargers, motors, power backups, drones, healthcare, car chargers, controllers, electronics, appliances, ug consumer goods.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WSF6012 MOSFET usa ka high-performance device nga adunay taas nga cell density nga disenyo.Naghatag kini og maayo kaayo nga RDSON ug bayad sa ganghaan nga angay alang sa kadaghanan nga mga dungan nga aplikasyon sa buck converter.Dugang pa, nakab-ot niini ang mga kinahanglanon sa RoHS ug Green Product, ug adunay 100% nga garantiya sa EAS alang sa hingpit nga pagpaandar ug kasaligan.

Mga bahin

Advanced nga Trench Technology nga adunay High Cell Density, Super Low Gate Charge, Excellent CdV/dt Effect Decline, 100% EAS Guarantee, ug Environmental-Friendly Device Options.

Mga aplikasyon

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-cigarettes, wireless charging, mga motor, emergency power supply, drone, healthcare, car charger, controllers, digital device, gagmay nga mga gamit sa balay, ug consumer electronics.

katugbang nga materyal nga numero

AOS AOD603A,

Importante nga mga parameter

Simbolo	Parameter	Rating		Mga yunit
Simbolo	Parameter	N-Channel	P-Channel	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	60	-60	V
VGS	Gate-Source Boltahe	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 10V1	20	-15	A
ID@TC=70 ℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ 10V1	15	-10	A
IDM	Pulsed Drain Current2	46	-36	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	200	180	mJ
IAS	Avalanche Current	59	-50	A
PD@TC=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4	34.7	34.7	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 150	-55 ngadto sa 150	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	-55 ngadto sa 150	-55 ngadto sa 150	℃

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Yunit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=1mA	---	0.063	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V , ID=8A	---	28	37	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V , ID=5A	---	37	45	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =250uA	1	---	2.5	V
△VGS(ika)	VGS(th) Temperatura Coefficient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Pagpasa sa Transconductance	VDS=5V , ID=8A	---	21	---	S
Rg	Pagsukol sa Ganghaan	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	Kinatibuk-ang Gate Charge (4.5V)	VDS=48V , VGS=4.5V , ID=8A	---	12.6	20	nC
Qgs	Bayad sa Gate-Source		---	3.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	6.3	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=30V , VGS=4.5V , RG=3.3Ω, ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	14.2	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	24.6	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	4.6	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	670	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	70	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	35	---