WSF4022 Dual N-Channel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Kinatibuk-ang Deskripsyon
Ang WSF4022 mao ang pinakataas nga performance trench Dual N-Ch MOSFET nga adunay grabe nga taas nga densidad sa cell, nga naghatag og maayo kaayo nga RDSON ug gate charge alang sa kadaghanan sa mga synchronous buck converter applications. kasaligan nga giaprobahan.
Mga bahin
Para sa Fan Pre-driver H-Bridge, Motor Control, Synchronous Rectification, E-cigarettes, wireless charging, motors, emergency power supplies, drones, medical care, car chargers, controllers, digital products, small household appliances, consumer electronics.
Mga aplikasyon
Para sa Fan Pre-driver H-Bridge, Motor Control, Synchronous Rectification, E-cigarettes, wireless charging, motors, emergency power supplies, drones, medical care, car chargers, controllers, digital products, small household appliances, consumer electronics.
katugbang nga materyal nga numero
AOS
Importante nga mga parameter
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit | |
| VDS | Drain-Source Boltahe | 40 | V | |
| VGS | Gate-Source Boltahe | ±20 | V | |
| ID | Pag-awas sa Current (Padayon) *AC | TC=25°C | 20* | A |
| ID | Pag-awas sa Current (Padayon) *AC | TC=100°C | 20* | A |
| ID | Pag-awas sa Current (Padayon) *AC | TA=25°C | 12.2 | A |
| ID | Pag-awas sa Current (Padayon) *AC | TA=70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Pulsed Drain Current | TC=25°C | 80* | A |
| EASb | Usa ka Pulse Avalanche Energy | L=0.5mH | 25 | mJ |
| IAS b | Avalanche Current | L=0.5mH | 17.8 | A |
| PD | Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum | TC=25°C | 39.4 | W |
| PD | Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum | TC=100°C | 19.7 | W |
| PD | Pagwagtang sa Gahum | TA=25°C | 6.4 | W |
| PD | Pagwagtang sa Gahum | TA=70°C | 4.2 | W |
| TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | 175 | ℃ | |
| TSTG | Temperatura sa Operating/ Temperatura sa Pagtipig | -55~175 | ℃ | |
| RθJA b | Thermal Resistance Junction-Ambient | Lig-on nga Estado c | 60 | ℃/W |
| RθJC | Thermal Resistance Junction sa Kaso | 3.8 | ℃/W |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Yunit |
| Static | ||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 40 | V | ||
| IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | VDS = 32V, VGS = 0V | 1 | µA | ||
| IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C | 30 | µA | ||
| IGSS | Gate Leakage Current | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(on) d | Drain-Source On-State Resistance | VGS = 10V, ID = 10A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4.5V, ID = 5A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Gate Chargee | ||||||
| Qg | Kinatibuk-ang Bayad sa Gate | VDS=20V,VGS=4.5V, ID=10A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Bayad sa Gate-Source | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 2.75 | nC | |||
| Dinamiko | ||||||
| Ciss | Kapasidad sa Input | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
| Coss | Kapasidad sa Output | 95 | pF | |||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | 60 | pF | |||
| td (sa) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7.8 | ns | ||
| tr | I-on ang Oras sa Pagtaas | 6.9 | ns | |||
| td(off) | I-off ang Oras sa Paglangan | 22.4 | ns | |||
| tf | I-off ang Panahon sa Pagkapukan | 4.8 | ns | |||
| Diode | ||||||
| VSDd | Diode Forward Voltage | ISD=1A, VGS=0V | 0.75 | 1.1 | V | |
| trr | Kapasidad sa Input | IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
| Qrr | Kapasidad sa Output | 8.7 | nC | |||
