WSD80130DN56 N-channel 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mga produkto

WSD80130DN56 N-channel 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Bahin:WSD80130DN56

BVDSS:80V

ID:130A

RDSON:2.7mΩ

Channel:N-channel

Pakete:DFN5X6-8


Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET

Ang boltahe sa WSD80130DN56 MOSFET mao ang 80V, ang kasamtangan mao ang 130A, ang resistensya mao ang 2.7mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET application areas

Mga Drone MOSFET, MOSFET sa mga motor, MOSFET medikal, MOSFET nga mga galamiton sa kuryente, MOSFET sa ESC.

Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

Mga parameter sa MOSFET

Simbolo

Parameter

Rating

Mga yunit

VDS

Drain-Source Boltahe

80

V

VGS

Ganghaan-Sourug Boltahe

±20

V

TJ

Kinatas-ang Temperatura sa Junction

150

°C

ID

Sakup sa Temperatura sa Pagtipig

-55 ngadto sa 150

°C

ID

Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS=10V,TC=25°C

130

A

Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS=10V,TC=70°C

89

A

IDM

Pulsed Drain Current ,TC=25°C

400

A

PD

Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum, TC=25°C

200

W

RqJC

Thermal Resistance-Junction sa Kaso

1.25

°C

       

 

Simbolo

Parameter

Mga kahimtang

Min.

Typ.

Max.

Yunit

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, akoD=250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatura Coefficient Reperensya sa 25, akoD=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V , ID=40A

---

2.7

3.6

mΩ

VGS(th)

Gate Threshold Boltahe VGS=VDS, akoD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatura Coefficient

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=48V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) VDS=30V, VGS=10V, ID=30A

---

48.6

---

nC

Qgs

Bayad sa Gate-Source

---

17.5

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

10.4

---

Td(on)

I-on ang Oras sa Paglangan VDD=30V, VGS=10V ,

RG=2.5Ω, akoD=2A ,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Panahon sa Pagbangon

---

10

---

Td(wala)

I-off ang Oras sa Paglangan

---

35

---

Tf

Panahon sa Pagkapukan

---

12

---

Cmao

Kapasidad sa Input VDS=25V, VGS=0V , f=1MHz

---

4150

---

pF

Coss

Kapasidad sa Output

---

471

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

20

---


  • Kaniadto:
  • Sunod:

  • Isulat ang imong mensahe dinhi ug ipadala kini kanamo