WSD80120DN56 N-channel 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD80120DN56 MOSFET mao ang 85V, ang kasamtangan mao ang 120A, ang resistensya mao ang 3.7mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET application areas
Medikal nga boltahe MOSFET, photographic nga kagamitan MOSFET, drone MOSFET, industriyal nga kontrol MOSFET, 5G MOSFET, automotive electronics MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | 85 | V |
| VGS | Ganghaan-Sourug Boltahe | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@10V | 96 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current..TC=25°C | 384 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Single pulse, L=0.5mH | 320 | mJ |
| IAS | Avalanche Current, Single pulse, L=0.5mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum | 53 | W |
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 175 | ℃ |
| TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | 175 | ℃ |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Yunit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatura Coefficient | Reperensya sa 25℃, akoD=1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance | VGS=10V,ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Pagsukol sa Ganghaan | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Bayad sa Gate-Source | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 11 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=50V, VGS=10V , RG=1Ω,RL=1Ω,ID=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 18 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 10 | --- | ||
| Cmao | Kapasidad sa Input | VDS=40V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 395 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 180 | --- |
