WSD80100DN56 N-channel 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD80100DN56 MOSFET mao ang 80V, ang kasamtangan mao ang 100A, ang resistensya mao ang 6.1mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET application areas
Mga drone MOSFET, mga motor MOSFET, automotive electronics MOSFET, mga mayor nga appliances MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Semiconductor MOSFET PDC7966X.
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | 80 | V |
| VGS | Ganghaan-Sourug Boltahe | ±20 | V |
| TJ | Kinatas-ang Temperatura sa Junction | 150 | °C |
| ID | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | °C |
| ID | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS=10V,TC=100°C | 80 | A | |
| IDM | Pulsed Drain Current ,TC=25°C | 380 | A |
| PD | Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum, TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Thermal Resistance-Junction sa Kaso | 0.8 | °C |
| EAS | Avalanche Energy, Single pulse, L=0.5mH | 800 | mJ |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Yunit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatura Coefficient | Reperensya sa 25℃, akoD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=40A | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Pagpasa sa Transconductance | VDS=5V, akoD=20A | 80 | --- | --- | S |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) | VDS=30V, VGS=10V, ID=30A | --- | 125 | --- | nC |
| Qgs | Bayad sa Gate-Source | --- | 24 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 30 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=30V, VGS=10V , RG=2.5Ω, akoD=2A ,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 19 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 70 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 30 | --- | ||
| Cmao | Kapasidad sa Input | VDS=25V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 410 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 315 | --- |
