WSD75100DN56 N-channel 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD75100DN56 MOSFET mao ang 75V, ang kasamtangan mao ang 100A, ang resistensya mao ang 5.3mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET application areas
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drone MOSFET, medical care MOSFET, car charger MOSFET, controllers MOSFET, digital nga mga produkto MOSFET, gagmay nga mga gamit sa panimalay MOSFET, consumer electronics MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NS3NEG7NSFET. .
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | 75 | V |
| VGS | Ganghaan-Sourug Boltahe | ±25 | V |
| TJ | Kinatas-ang Temperatura sa Junction | 150 | °C |
| ID | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | °C |
| IS | Diode Padayon sa Pag-una nga Current,TC=25°C | 50 | A |
| ID | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS=10V,TC=100°C | 73 | A | |
| IDM | Pulsed Drain Current ,TC=25°C | 400 | A |
| PD | Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum, TC=25°C | 155 | W |
| Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum, TC=100°C | 62 | W | |
| RθJA | Thermal Resistance-Junction sa Ambient ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Thermal Resistance-Junction ngadto sa Ambient, Steady State | 60 | °C | |
| RqJC | Thermal Resistance-Junction sa Kaso | 0.8 | °C |
| IAS | Avalanche Current, Single pulse, L=0.5mH | 30 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Single pulse, L=0.5mH | 225 | mJ |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Yunit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatura Coefficient | Reperensya sa 25℃, akoD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Pagpasa sa Transconductance | VDS=5V, akoD=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Pagsukol sa Ganghaan | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Bayad sa Gate-Source | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 17 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=30V, VGEN=10V , RG=1Ω, akoD=1A ,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 14 | 26 | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 37 | 67 | ||
| Cmao | Kapasidad sa Input | VDS=20V, VGS=0V , f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | 100 | 195 | 250 |
