WSD60N12GDN56 N-channel 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD60N12GDN56 MOSFET mao ang 120V, ang kasamtangan mao ang 70A, ang resistensya mao ang 10mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
Mga lugar nga aplikasyon sa WINSOK MOSFET
Medical equipment MOSFET, drone MOSFET, PD power supply MOSFET, LED power supply MOSFET, industrial equipment MOSFET.
MOSFET application fieldsWINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC974X.
Mga parameter sa MOSFET
Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
VDS | Drain-Source Boltahe | 120 | V |
VGS | Gate-Source Boltahe | ±20 | V |
ID@TC=25 ℃ | Padayon nga Pag-agos sa Agos | 70 | A |
IDP | Pulsed Drain Current | 150 | A |
EAS | Enerhiya sa Avalanche, Usa ka pulso | 53.8 | mJ |
PD@TC=25 ℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum | 140 | W |
TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Unit |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=250uA | 120 | --- | --- | V |
Static Drain-Source On-Resistance | VGS=10V,ID=10A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
RDS(ON) | VGS=4.5V,ID=10A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=250uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) | VDS=50V, VGS=10V, akoD=25A | --- | 33 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 5.6 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 7.2 | --- | ||
Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=50V, VGS=10V , RG=2Ω, akoD=25A | --- | 22 | --- | ns |
Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 10 | --- | ||
Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 85 | --- | ||
Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 112 | --- | ||
Cmao | Kapasidad sa Input | VDS=50V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
Coss | Kapasidad sa Output | --- | 330 | --- | ||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 11 | --- | ||
IS | Padayon nga Source Current | VG=VD=0V , Force Current | --- | --- | 50 | A |
ISP | Pulsed Source Current | --- | --- | 150 | A | |
VSD | Diode Forward Voltage | VGS=0V, akoS=12A , TJ=25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
trr | Balikbalik nga Panahon sa Pagbawi | KUNG=25A,dI/dt=100A/µs,TJ=25 ℃ | --- | 62 | --- | nS |
Qrr | Balikbalik nga Bayad sa Pagbawi | --- | 135 | --- | nC |