WSD60N12GDN56 N-channel 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mga produkto

WSD60N12GDN56 N-channel 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Bahin:WSD60N12GDN56

BVDSS:120V

ID:70A

RDSON:10mΩ

Channel:N-channel

Pakete:DFN5X6-8


Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET

Ang boltahe sa WSD60N12GDN56 MOSFET mao ang 120V, ang kasamtangan mao ang 70A, ang resistensya mao ang 10mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET application areas

Medical equipment MOSFET, drone MOSFET, PD power supply MOSFET, LED power supply MOSFET, industrial equipment MOSFET.

MOSFET application fieldsWINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC974X.

Mga parameter sa MOSFET

Simbolo

Parameter

Rating

Mga yunit

VDS

Drain-Source Boltahe

120

V

VGS

Gate-Source Boltahe

±20

V

ID@TC=25 ℃

Padayon nga Pag-agos sa Agos

70

A

IDP

Pulsed Drain Current

150

A

EAS

Enerhiya sa Avalanche, Usa ka pulso

53.8

mJ

PD@TC=25 ℃

Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum

140

W

TSTG

Sakup sa Temperatura sa Pagtipig

-55 ngadto sa 150

TJ 

Sakup sa Temperatura sa Operating Junction

-55 ngadto sa 150

 

Simbolo

Parameter

Mga kahimtang

Min.

Typ.

Max.

Yunit

BVDSS 

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, akoD=250uA

120

---

---

V

  Static Drain-Source On-Resistance VGS=10V,ID=10A.

---

10

15

RDS(ON)

VGS=4.5V,ID=10A.

---

18

25

VGS(th)

Gate Threshold Boltahe VGS=VDS, akoD=250uA

1.2

---

2.5

V

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=80V, VGS=0V, TJ=25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=25A

---

33

---

nC

Qgs 

Bayad sa Gate-Source

---

5.6

---

Qgd 

Gate-Drain Charge

---

7.2

---

Td(on)

I-on ang Oras sa Paglangan VDD=50V, VGS=10V ,

RG=2Ω, akoD=25A

---

22

---

ns

Tr 

Panahon sa Pagbangon

---

10

---

Td(wala)

I-off ang Oras sa Paglangan

---

85

---

Tf 

Panahon sa Pagkapukan

---

112

---

Cmao 

Kapasidad sa Input VDS=50V, VGS=0V , f=1MHz

---

2640

---

pF

Coss

Kapasidad sa Output

---

330

---

Crss 

Reverse Transfer Capacitance

---

11

---

IS 

Padayon nga Tinubdan Karon VG=VD=0V , Force Current

---

---

50

A

ISP

Pulsed Source Current

---

---

150

A

VSD

Diode Forward Voltage VGS=0V, akoS=12A , TJ=25 ℃

---

---

1.3

V

trr 

Balikbalik nga Panahon sa Pagbawi KUNG=25A,dI/dt=100A/µs,TJ=25 ℃

---

62

---

nS

Qrr 

Balikbalik nga Bayad sa Pagbawi

---

135

---

nC

 


  • Kaniadto:
  • Sunod:

  • Isulat ang imong mensahe dinhi ug ipadala kini kanamo