WSD6070DN56 N-channel 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD6070DN56 MOSFET mao ang 60V, ang kasamtangan mao ang 80A, ang resistensya mao ang 7.3mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
Mga lugar nga aplikasyon sa WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, motor MOSFET, drone MOSFET, medical care MOSFET, car charger MOSFET, controllers MOSFET, digital nga mga produkto MOSFET, gagmay nga mga gamit sa panimalay MOSFET, consumer electronics MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | 60 | V |
| VGS | Ganghaan-Sourug Boltahe | ±20 | V |
| TJ | Kinatas-ang Temperatura sa Junction | 150 | °C |
| ID | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | °C |
| IS | Diode Padayon sa Pag-una nga Current,TC=25°C | 80 | A |
| ID | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS=10V,TC=25°C | 80 | A |
| Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS=10V,TC=100°C | 66 | A | |
| IDM | Pulsed Drain Current ,TC=25°C | 300 | A |
| PD | Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum, TC=25°C | 150 | W |
| Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum, TC=100°C | 75 | W | |
| RθJA | Thermal Resistance-Junction sa Ambient ,t =10s ̀ | 50 | °C/K |
| Thermal Resistance-Junction ngadto sa Ambient, Steady State | 62.5 | °C/K | |
| RqJC | Thermal Resistance-Junction sa Kaso | 1 | °C/K |
| IAS | Avalanche Current, Single pulse, L=0.5mH | 30 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Single pulse, L=0.5mH | 225 | mJ |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatura Coefficient | Reperensya sa 25℃, akoD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=40A | --- | 7.0 | 9.0 | mΩ |
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Pagpasa sa Transconductance | VDS=5V, akoD=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Pagsukol sa Ganghaan | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) | VDS=30V, VGS=10V, akoD=40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 12 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=30V, VGEN=10V , RG=1Ω, akoD=1A ,RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 10 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 35 | --- | ||
| Cmao | Kapasidad sa Input | VDS=30V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 386 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 160 | --- |
