WSD6040DN56 N-channel 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD6040DN56 MOSFET mao ang 60V, ang kasamtangan mao ang 36A, ang resistensya mao ang 14mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
Mga lugar nga aplikasyon sa WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, motor MOSFET, drone MOSFET, medical care MOSFET, car charger MOSFET, controllers MOSFET, digital nga mga produkto MOSFET, gagmay nga mga gamit sa panimalay MOSFET, consumer electronics MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit | ||
| VDS | Drain-Source Boltahe | 60 | V | ||
| VGS | Gate-Source Boltahe | ±20 | V | ||
| ID | Padayon nga Pag-agos sa Agos | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Padayon nga Pag-agos sa Agos | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Pulsed Drain Current | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum | TC=25°C | 37.8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Avalanche Current, Usa ka pulso | L=0.5mH | 16 | A | |
| EASc | Usa ka Pulse Avalanche Energy | L=0.5mH | 64 | mJ | |
| IS | Diode Padayon sa Pag-una nga Current | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | Kinatas-ang Temperatura sa Junction | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Thermal Resistance Junction ngadto sa ambient | Lig-on nga Estado | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Thermal Resistance-Junction sa Kaso | Lig-on nga Estado | 3.3 | ℃/W | |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Unit | |
| Static | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Gate Leakage Current | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Sa mga Kinaiya | |||||||
| VGS(TH) | Gate Threshold Boltahe | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(on)d | Drain-Source On-State Resistance | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Pagbalhin | |||||||
| Qg | Kinatibuk-ang Bayad sa Gate | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 9.6 | nC | ||||
| td (sa) | I-on ang Oras sa Paglangan | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | I-on ang Oras sa Pagtaas | 9 | ns | ||||
| td(off) | I-off ang Oras sa Paglangan | 58 | ns | ||||
| tf | I-off ang Panahon sa Pagkapukan | 14 | ns | ||||
| Rg | Pagbatok sa gat | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dinamiko | |||||||
| Ciss | Sa Kapasidad | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Gawas nga Kapasidad | 140 | pF | ||||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | 100 | pF | ||||
| Mga Kinaiya sa Drain-Source Diode ug Maximum Ratings | |||||||
| IS | Padayon nga Source Current | VG=VD=0V , Force Current | 18 | A | |||
| ISM | Pulsed Source Current3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Diode Forward Voltage | ISD = 20A , VGS=0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| trr | Balikbalik nga Panahon sa Pagbawi | ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Balikbalik nga Bayad sa Pagbawi | 33 | nC | ||||
