WSD45N10GDN56 N-channel 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD45N10GDN56 MOSFET mao ang 100V, ang kasamtangan mao ang 45A, ang resistensya mao ang 14.5mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
Mga lugar nga aplikasyon sa WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, motor MOSFET, drone MOSFET, medical care MOSFET, car charger MOSFET, controllers MOSFET, digital nga mga produkto MOSFET, gagmay nga mga gamit sa panimalay MOSFET, consumer electronics MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X.
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | 100 | V |
| VGS | Ganghaan-Sourug Boltahe | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Pulsed Drain Current | 130 | A |
| EASb | Usa ka Pulse Avalanche Energy | 169 | mJ |
| IASb | Avalanche Current | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum | 5.0 | W |
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS Temperatura Coefficient | Reperensya sa 25℃, akoD=1mA | --- | 0.0 | --- | V/℃ |
| RDS(ON)d | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, akoD=26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| Si Rge | Pagsukol sa Ganghaan | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qge | Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) | VDS=50V, VGS=10V, akoD=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Gate-Source Charge | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Gate-Drain Charge | --- | 12 | --- | ||
| Td(on)e | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=30V, VGEN=10V , RG=6Ω ID=1A ,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Panahon sa Pagbangon | --- | 9 | 17 | ||
| Td(wala)e | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 36 | 65 | ||
| Si Tfe | Panahon sa Pagkapukan | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | Kapasidad sa Input | VDS=30V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Kapasidad sa Output | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Reverse Transfer Capacitance | --- | 42 | --- |
