WSD4280DN22 Dual P-channel -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD4280DN22 MOSFET mao ang -15V, ang kasamtangan mao ang -4.6A, ang resistensya mao ang 47mΩ, ang channel mao ang Dual P-channel, ug ang package mao ang DFN2X2-6L.
Mga lugar nga aplikasyon sa WINSOK MOSFET
Bidirectional blocking switch; Mga aplikasyon sa pagbag-o sa DC-DC; Li-baterya nga pag-charge; E-cigarette MOSFET, wireless charging MOSFET, pag-charge sa sakyanan MOSFET, controller MOSFET, digital product MOSFET, gagmay nga mga gamit sa panimalay MOSFET, consumer electronics MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
PANJIT MOSFET PJQ2815
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | -15 | V |
| VGS | Gate-Source Boltahe | ±8 | V |
| ID@Tc=25 ℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS= -4.5V1 | -4.6 | A |
| IDM | 300μS Pulsed Drain Current, (VGS=-4.5V) | -15 | A |
| PD | Ang Pagkawala sa Gahum Derating sa ibabaw sa TA = 25°C (Note 2) | 1.9 | W |
| TSTG, TJ | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| RθJA | Thermal Resistance Junction-ambient1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | Thermal Resistance Junction-Kaso1 | 50 | ℃/W |
Mga Kinaiya sa Elektrisidad (TJ=25 ℃, gawas kung gipahibalo)
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=-250uA | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS Temperatura Coefficient | Reference sa 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0.01 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-4.5V , ID=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2.5V , ID=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1.8V , ID=-1A | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=-250uA | -0.4 | -0.62 | -1.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=-10V , VGS=0V, TJ=25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10V , VGS=0V, TJ=55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±12V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Pagpasa sa Transconductance | VDS=-5V, akoD=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Pagsukol sa Ganghaan | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (-4.5V) | VDS=-10V , VGS=-4.5V , ID=-4.6A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 2.3 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=-10V ,VGS=-4.5V , RG=1Ω ID=-3.9A, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 16 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 30 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 10 | --- | ||
| Cmao | Kapasidad sa Input | VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 96 | --- |
