WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Kinatibuk-ang Deskripsyon
Ang WSD4098DN56 mao ang pinakataas nga performance trench nga Dual N-Ch MOSFET nga adunay grabe nga taas nga densidad sa cell, nga naghatag og maayo kaayo nga RDSON ug gate charge alang sa kadaghanan sa mga synchronous buck converter nga mga aplikasyon. Ang WSD4098DN56 nakab-ot ang RoHS ug Green Product nga kinahanglanon nga 100% EAS nga gigarantiyahan nga adunay bug-os nga kasaligan nga pag-andar nga gi-aprubahan.
Mga bahin
Advanced nga high cell density Trench technology,Super Low Gate Charge,Excellent CdV/dt effect nga pagkunhod,100% EAS Guaranteed,Green Device Anaa
Mga aplikasyon
High Frequency Point-of-Load Synchronous, Buck Converter para sa MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-cigarettes, wireless charging, motors, drones, medical care, car chargers, controllers, digital mga produkto, gagmay nga gamit sa panimalay, consumer electronics.
katugbang nga materyal nga numero
AOS AON6884
Importante nga mga parameter
Simbolo | Parameter | Rating | Unit | |
Komon nga mga Rating | ||||
VDSS | Drain-Source Boltahe | 40 | V | |
VGSS | Gate-Source Boltahe | ±20 | V | |
TJ | Kinatas-ang Temperatura sa Junction | 150 | °C | |
TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | °C | |
IS | Diode Padayon sa Pag-una nga Current | TA=25°C | 11.4 | A |
ID | Padayon nga Pag-agos sa Agos | TA=25°C | 22 | A |
TA=70°C | 22 | |||
DM ko b | Gisulayan ang Pulse Drain Current | TA=25°C | 88 | A |
PD | Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum | T. =25°C | 25 | W |
TC=70°C | 10 | |||
RqJL | Thermal Resistance-Junction to Lead | Lig-on nga Estado | 5 | °C/K |
RqJA | Thermal Resistance-Junction sa Ambient | t £10s | 45 | °C/K |
Lig-on nga Estado b | 90 | |||
AKO AS d | Avalanche Current, Usa ka pulso | L=0.5mH | 28 | A |
E AS d | Enerhiya sa Avalanche, Usa ka pulso | L=0.5mH | 39.2 | mJ |
Simbolo | Parameter | Mga Kondisyon sa Pagsulay | Min. | Typ. | Max. | Unit | |
Static nga mga Kinaiya | |||||||
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, IDS=250mA | 40 | - | - | V | |
IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | VDS=32V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VDS=VGS, IDS=250mA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
IGSS | Gate Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
R DS(ON) e | Drain-Source On-State Resistance | VGS=10V, IDS=14A | - | 6.8 | 7.8 | m W | |
VGS=4.5V, IDS=12 A | - | 9.0 | 11 | ||||
Mga Kinaiya sa Diode | |||||||
V SD e | Diode Forward Voltage | ISD=1A, VGS=0V | - | 0.75 | 1.1 | V | |
trr | Balikbalik nga Panahon sa Pagbawi | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 23 | - | ns | |
Qrr | Balikbalik nga Bayad sa Pagbawi | - | 13 | - | nC | ||
Dinamikong Kinaiya f | |||||||
RG | Pagsukol sa Ganghaan | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 2.5 | - | W | |
Ciss | Kapasidad sa Input | VGS=0V, VDS=20V, Frequency=1.0MHz | - | 1370 | 1781 | pF | |
Coss | Kapasidad sa Output | - | 317 | - | |||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | - | 96 | - | |||
td(ON) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD = 20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W | - | 13.8 | - | ns | |
tr | I-on ang Oras sa Pagtaas | - | 8 | - | |||
td( OFF) | I-off ang Oras sa Paglangan | - | 30 | - | |||
tf | I-off ang Panahon sa Pagkapukan | - | 21 | - | |||
Mga Kinaiya sa Gate Charge f | |||||||
Qg | Kinatibuk-ang Bayad sa Gate | VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A | - | 23 | 28 | nC | |
Qg | Kinatibuk-ang Bayad sa Gate | VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A | - | 22 | - | ||
Qgth | Bayad sa Ganghaan sa Threshold | - | 2.6 | - | |||
Qgs | Gate-Source Charge | - | 4.7 | - | |||
Qgd | Gate-Drain Charge | - | 3 | - |