WSD4080DN56 N-channel 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD4080DN56 MOSFET mao ang 40V, ang kasamtangan mao ang 85A, ang resistensya mao ang 4.5mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET application areas
Mga gagmay nga appliances MOSFET, handheld appliances MOSFET, motor MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | 40 | V |
| VGS | Ganghaan-Sourug Boltahe | ±20 | V |
| ID@TC=25 ℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @10V1 | 85 | A |
| ID@TC=100 ℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @10V1 | 58 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current2 | 100 | A |
| EAS | Usa ka Pulse Avalanche Energy3 | 110.5 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 47 | A |
| PD@TC=25 ℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4 | 52.1 | W |
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| RθJA | Thermal Resistance Junction-Ambient1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Thermal Resistance Junction-Kaso1 | 2.4 | ℃/W |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Yunit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V , ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=10A | --- | 4.5 | 6.5 | mΩ |
| VGS=4.5V , ID=5A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS , ID =250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=32V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Pagpasa sa Transconductance | VDS=10V , ID=5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (4.5V) | VDS=20V , VGS=4.5V , ID=10A | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | Bayad sa Gate-Source | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 9.5 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=15V , VGS=10V RG=3.3Ω ID=1A | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 8.8 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Kapasidad sa Input | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 215 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 175 | --- | ||
| IS | Padayon nga Tinubdan Karon1,5 | VG=VD=0V , Force Current | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Diode Forward Voltage2 | VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
