WSD4076DN56 N-channel 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD4076DN56 MOSFET mao ang 40V, ang kasamtangan mao ang 76A, ang resistensya mao ang 6.9mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
Mga lugar nga aplikasyon sa WINSOK MOSFET
Mga gagmay nga appliances MOSFET, handheld appliances MOSFET, motor MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.
PANJIT MOSFET PJQ5442.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Mga parameter sa MOSFET
Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
VDS | Drain-Source Boltahe | 40 | V |
VGS | Ganghaan-Sourug Boltahe | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@ 10V | 76 | A |
ID@TC=100℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@ 10V | 33 | A |
IDM | Pulsed Drain Currenta | 125 | A |
EAS | Usa ka Pulse Avalanche Energyb | 31 | mJ |
IAS | Avalanche Current | 31 | A |
PD@Ta=25℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum | 1.7 | W |
TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Unit |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=250uA | 40 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatura Coefficient | Reperensya sa 25℃, akoD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=12A | --- | 6.9 | 8.5 | mΩ |
RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=4.5V , ID=10A | --- | 10 | 15 | mΩ |
VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=250uA | 1.5 | 1.6 | 2.5 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Pagpasa sa Transconductance | VDS=5V, akoD=20A | --- | 18 | --- | S |
Rg | Pagsukol sa Ganghaan | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.7 | --- | Ω |
Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) | VDS=20V, VGS=4.5V, ID=12A | --- | 5.8 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 3.0 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 1.2 | --- | ||
Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=15V, VGEN=10V , RG=3.3Ω, akoD=1A . | --- | 12 | --- | ns |
Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 5.6 | --- | ||
Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 20 | --- | ||
Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 11 | --- | ||
Cmao | Kapasidad sa Input | VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 680 | --- | pF |
Coss | Kapasidad sa Output | --- | 185 | --- | ||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 38 | --- |