WSD4076DN56 N-channel 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mga produkto

WSD4076DN56 N-channel 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Bahin:WSD4076DN56

BVDSS:40V

ID:76A

RDSON:6.9mΩ 

Channel:N-channel

Pakete:DFN5X6-8


Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET

Ang boltahe sa WSD4076DN56 MOSFET mao ang 40V, ang kasamtangan mao ang 76A, ang resistensya mao ang 6.9mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET application areas

Mga gagmay nga appliances MOSFET, handheld appliances MOSFET, motor MOSFET.

Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

Mga parameter sa MOSFET

Simbolo

Parameter

Rating

Mga yunit

VDS

Drain-Source Boltahe

40

V

VGS

Ganghaan-Sourug Boltahe

±20

V

ID@TC=25

Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@10V

76

A

ID@TC=100

Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@10V

33

A

IDM

Pulsed Drain Currenta

125

A

EAS

Usa ka Pulse Avalanche Energyb

31

mJ

IAS

Avalanche Current

31

A

PD@Ta=25

Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum

1.7

W

TSTG

Sakup sa Temperatura sa Pagtipig

-55 ngadto sa 150

TJ

Sakup sa Temperatura sa Operating Junction

-55 ngadto sa 150

 

Simbolo

Parameter

Mga kahimtang

Min.

Typ.

Max.

Yunit

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, akoD=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatura Coefficient Reperensya sa 25, akoD=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V , ID=12A

---

6.9

8.5

mΩ

RDS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=4.5V , ID=10A

---

10

15

VGS(th)

Gate Threshold Boltahe VGS=VDS, akoD=250uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatura Coefficient

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Pagpasa sa Transconductance VDS=5V, akoD=20A

---

18

---

S

Rg

Pagsukol sa Ganghaan VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) VDS=20V, VGS=4.5V, ID=12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Bayad sa Gate-Source

---

3.0

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

1.2

---

Td(on)

I-on ang Oras sa Paglangan VDD=15V, VGEN=10V , RG=3.3Ω, akoD=1A .

---

12

---

ns

Tr

Panahon sa Pagbangon

---

5.6

---

Td(wala)

I-off ang Oras sa Paglangan

---

20

---

Tf

Panahon sa Pagkapukan

---

11

---

Cmao

Kapasidad sa Input VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz

---

680

---

pF

Coss

Kapasidad sa Output

---

185

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

38

---


  • Kaniadto:
  • Sunod:

  • Isulat ang imong mensahe dinhi ug ipadala kini kanamo