WSD40200DN56G N-channel 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD40120DN56G MOSFET mao ang 40V, ang kasamtangan mao ang 120A, ang resistensya mao ang 1.4mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET application areas
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drone MOSFET, medical care MOSFET, car charger MOSFET, controllers MOSFET, digital nga mga produkto MOSFET, gagmay nga mga gamit sa panimalay MOSFET, consumer electronics MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | 40 | V |
| VGS | Ganghaan-Sourug Boltahe | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@10V1 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@10V1 | 82 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current2 | 400 | A |
| EAS | Usa ka Pulse Avalanche Energy3 | 400 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4 | 125 | W |
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Yunit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatura Coefficient | Reperensya sa 25℃, akoD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=20A | --- | 1.4 | 1.8 | mΩ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=4.5V , ID=20A | --- | 2.0 | 2.6 | mΩ |
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=250uA | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Pagpasa sa Transconductance | VDS=5V, akoD=20A | --- | 53 | --- | S |
| Rg | Pagsukol sa Ganghaan | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 45 | --- | nC |
| Qgs | Bayad sa Gate-Source | --- | 12 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 18.5 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=15V, VGEN=10V , RG=3.3Ω, akoD=20A ,RL=15Ω. | --- | 18.5 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 9 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 58.5 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 32 | --- | ||
| Cmao | Kapasidad sa Input | VDS=20V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 3972 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 1119 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 82 | --- |
