WSD4018DN22 P-channel -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD4018DN22 MOSFET mao ang -40V, ang kasamtangan mao ang -18A, ang resistensya mao ang 26mΩ, ang channel mao ang P-channel, ug ang package mao ang DFN2X2-6L.
WINSOK MOSFET application areas
Advanced nga high cell density Trench technology, Super Low Gate Charge, Excellent Cdv/dt effect decline Green Device Available, Face recognition equipment MOSFET, e-cigarette MOSFET, gagmay nga mga gamit sa panimalay MOSFET, car charger MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON2409, POTENS MOSFET PDB3909L
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | -40 | V |
| VGS | Gate-Source Boltahe | ±20 | V |
| ID@Tc=25 ℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@ -10V1 | -18 | A |
| ID@Tc=70 ℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@ -10V1 | -14.6 | A |
| IDM | 300μS Pulsed Drain Current,VGS=-4.5V2 | 54 | A |
| PD@Tc=25 ℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum3 | 19 | W |
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
Mga Kinaiya sa Elektrisidad (TJ=25 ℃, gawas kung gipahibalo)
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Yunit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS Temperatura Coefficient | Reference sa 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0.01 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-10V , ID=-8.0A | --- | 26 | 34 | mΩ |
| VGS=-4.5V , ID=-6.0A | --- | 31 | 42 | |||
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=-250uA | -1.0 | -1.5 | -3.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=-40V , VGS=0V, TJ=25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-40V , VGS=0V, TJ=55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (-4.5V) | VDS=-20V, VGS=-10V , ID=-1.5A | --- | 27 | --- | nC |
| Qgs | Bayad sa Gate-Source | --- | 2.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 6.7 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=-20V, VGS=-10V ,RG=3Ω , RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 11 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 54 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 7.1 | --- | ||
| Cmao | Kapasidad sa Input | VDS=-20V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1560 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 116 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 97 | --- |
