WSD30L88DN56 Dual P-channel -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Kinatibuk-ang Deskripsyon
Ang WSD30L88DN56 mao ang pinakataas nga performance trench nga Dual P-Ch MOSFET nga adunay grabe nga taas nga densidad sa cell, nga naghatag og maayo kaayo nga RDSON ug gate charge alang sa kadaghanan sa mga synchronous buck converter applications. Ang WSD30L88DN56 nakab-ot ang RoHS ug Green Product nga kinahanglanon nga 100% EAS nga gigarantiyahan nga adunay hingpit nga kasaligan nga pag-andar nga gi-aprubahan.
Mga bahin
Advanced nga high cell density Trench technology, Super Low Gate Charge, Excellent CdV/dt effect nga pagkunhod, 100% EAS Guaranteed, Green Device Anaa.
Mga aplikasyon
High Frequency Point-of-Load Synchronous,Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA,Networking DC-DC Power System,Load Switch,E-cigarettes, wireless charging, motors, drones, medical care, car chargers, controllers, digital mga produkto, gagmay nga gamit sa panimalay, consumer electronics.
katugbang nga materyal nga numero
AOS
Importante nga mga parameter
Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
VDS | Drain-Source Boltahe | -30 | V |
VGS | Gate-Source Boltahe | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ -10V1 | -49 | A |
ID@TC=100 ℃ | Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ -10V1 | -23 | A |
IDM | Pulsed Drain Current2 | -120 | A |
EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 68 | mJ |
PD@TC=25℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4 | 40 | W |
TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ |