WSD30350DN56G N-channel 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD30350DN56G MOSFET mao ang 30V, ang kasamtangan mao ang 350A, ang resistensya mao ang 1.8mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
Mga lugar nga aplikasyon sa WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drone MOSFET, medical care MOSFET, car charger MOSFET, controllers MOSFET, digital nga mga produkto MOSFET, gagmay nga mga gamit sa panimalay MOSFET, consumer electronics MOSFET.
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | 30 | V |
| VGS | Ganghaan-Sourug Boltahe | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Padayon nga Pag-agos sa Agos(Limitado ang Silicon）1,7 | 350 | A |
| ID@TC=70℃ | Padayon nga Drain Current(Silicon Limited）1,7 | 247 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current2 | 600 | A |
| EAS | Usa ka Pulse Avalanche Energy3 | 1800 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4 | 104 | W |
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatura Coefficient | Reperensya sa 25℃, akoD=1mA | --- | 0.022 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, akoD=20A | --- | 0.48 | 0.62 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=20A | --- | 0.72 | 0.95 | |||
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=250uA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Pagpasa sa Transconductance | VDS=5V, akoD=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Pagsukol sa Ganghaan | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (4.5V) | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=20A | --- | 89 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 37 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 20 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=15V, VGEN=10V , RG=1Ω, akoD=10A | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 34 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 61 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 18 | --- | ||
| Cmao | Kapasidad sa Input | VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 7845 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 4525 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 139 | --- |
